MOS电容器的制作方法以及MOS电容器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210101757.0

申请日：

2012-04-09

公开(公告)号：

CN103367141A

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

张子莹

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21334

IPC分类号：

H01L2994

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;顾珊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-23	公开	公开
2013-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542125535 IPC(主分类):H01L 21/334 专利申请号:2012101017570 申请日:20120409
2016-06-01	授权	授权

共 50 条

[1]

MOS电容器、半导体制造方法以及MOS电容器电路 [P].

刘思麟 ;

洪照俊 ;

彭永州 .

中国专利 :CN107564970A ,2018-01-09

[2]

电容器、电容结构、电容器的制作方法 [P].

陆斌 ;

沈健 .

中国专利 :CN113748508B ,2024-04-30

[3]

电容器、电容结构、电容器的制作方法 [P].

陆斌 ;

沈健 .

中国专利 :CN113748508A ,2021-12-03

[4]

纳米结构MOS电容器 [P].

L-E·沃纳森 .

中国专利 :CN102084488A ,2011-06-01

[5]

MOS电容器泄漏检测测试结构以及MOS电容器泄漏检测方法 [P].

令海阳 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN105810665A ,2016-07-27

[6]

电容器的制作方法及电容器 [P].

姚国峰 ;

沈健 ;

皮波 .

中国专利 :CN110168682A ,2019-08-23

[7]

电容器以及电容器的制造方法 [P].

加贺田博司 ;

凤桐将之 .

中国专利 :CN102804298A ,2012-11-28

[8]

基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法 [P].

程新红 ;

徐大伟 ;

王中健 ;

夏超 ;

曹铎 ;

宋朝瑞 ;

俞跃辉 .

中国专利 :CN102254821A ,2011-11-23

[9]

电容器制作系统及电容器制作方法 [P].

谭国彪 ;

呙德红 ;

刘云 .

中国专利 :CN106409537A ,2017-02-15

[10]

电容器制作装置及电容器制作方法 [P].

谭国彪 ;

呙德红 ;

刘云 .

中国专利 :CN106469614B ,2017-03-01

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