半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610664298.5

申请日：

2016-08-12

公开(公告)号：

CN107731737A

公开(公告)日：

2018-02-23

发明(设计)人：

张城龙郑喆张海洋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-23	公开	公开
2018-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20160812
2020-06-09	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

渠汇 ;

杨鹏 ;

唐睿智 ;

吉利 ;

钱文明 .

中国专利 :CN114823507B ,2025-07-04

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

姜春磊 ;

李敏 ;

林先军 .

中国专利 :CN114446788A ,2022-05-06

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN115036221A ,2022-09-09

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

苏博 ;

亚伯拉罕·庾 ;

吴汉洙 .

中国专利 :CN115084026A ,2022-09-20

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

涂武涛 ;

王彦 ;

邱晶 .

中国专利 :CN114765131A ,2022-07-19

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN105742230A ,2016-07-06

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

何其暘 ;

张翼英 ;

郑二虎 ;

张城龙 .

中国专利 :CN105575908A ,2016-05-11

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

顾飞丹 ;

王彦 ;

张海洋 .

中国专利 :CN118737962A ,2024-10-01

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103928389A ,2014-07-16

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

姜春磊 ;

李敏 ;

林先军 .

中国专利 :CN114446788B ,2025-08-26

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