纳米氧化物F的制备方法、耐电晕聚酰亚胺薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010576028.5

申请日：

2020-06-22

公开(公告)号：

CN112011198B

公开(公告)日：

2020-12-01

发明(设计)人：

杨继明刘贺曾彩萍金鹰

申请人：

申请人地址：

226010 江苏省南通市经济技术开发区齐心路108号

IPC主分类号：

C09C312

IPC分类号：

C09C140 C09C130 C07F718 C08K906 C08K322 C08K336 C08L7908 C08J518

代理机构：

深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334

代理人：

徐丽;许春晓

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-14	授权	授权
2020-12-01	公开	公开
2020-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09C 3/12 申请日:20200622

共 50 条

[1]

耐电晕聚酰亚胺薄膜的制备方法 [P].

黄培 ;

吕亮 .

中国专利 :CN102786688A ,2012-11-21

[2]

一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

张步峰 ;

廖波 ;

张文祥 ;

杨军 .

中国专利 :CN111087633B ,2020-05-01

[3]

耐电晕聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法 [P].

刘贺 ;

孙科 ;

陈然 ;

曾彩萍 ;

金鹰 .

中国专利 :CN109293966A ,2019-02-01

[4]

耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

吕亮 ;

吕明 ;

陆玉环 ;

魏文帆 ;

张鑫 .

中国专利 :CN118596671A ,2024-09-06

[5]

耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

董占林 ;

张俊丽 ;

任小龙 .

中国专利 :CN102490426A ,2012-06-13

[6]

一种耐电晕聚酰亚胺薄膜制备方法、耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备系统 [P].

张明玉 ;

刘立柱 ;

张春琪 ;

施泉荣 ;

朱小勇 ;

夏智峰 ;

吴斌 ;

马俊峰 .

中国专利 :CN110744764B ,2020-02-04

[7]

耐电晕多孔氧化铝/聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

巴玉国 .

中国专利 :CN108822319A ,2018-11-16

[8]

一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

刘萍 ;

张双庆 .

中国专利 :CN108659242A ,2018-10-16

[9]

一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

曹广文 ;

刘振宾 ;

张范 ;

董鹏 .

中国专利 :CN114989466A ,2022-09-02

[10]

一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

邵爱凤 .

中国专利 :CN1793231A ,2006-06-28

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