功率半导体器件和功率半导体芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110526485.8

申请日：

2021-05-14

公开(公告)号：

CN113745322A

公开(公告)日：

2021-12-03

发明(设计)人：

李珠焕

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2908 H01L29739 H01L2978 G01K1300 G01R1900

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

刘梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-03	公开	公开
2021-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20210514

共 50 条

[1]

功率半导体器件和功率半导体芯片 [P].

李珠焕 .

韩国专利 :CN113745322B ,2025-02-07

[2]

功率半导体芯片及功率半导体器件 [P].

W·M·舒尔茨 .

中国专利 :CN206282846U ,2017-06-27

[3]

功率半导体器件 [P].

J.赫格劳尔 ;

R.奥特伦巴 ;

R.保罗 .

中国专利 :CN102683310B ,2012-09-19

[4]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[5]

功率半导体器件 [P].

金信儿 ;

金台烨 ;

河定穆 ;

禹赫 .

中国专利 :CN114628520A ,2022-06-14

[6]

功率半导体器件 [P].

金信儿 ;

金台烨 ;

河定穆 ;

禹赫 .

韩国专利 :CN114628520B ,2025-09-19

[7]

功率半导体器件 [P].

李珠焕 .

韩国专利 :CN118507521A ,2024-08-16

[8]

功率半导体器件 [P].

H-J.舒尔策 ;

F.普菲尔施 ;

H.许斯肯 .

中国专利 :CN204011431U ,2014-12-10

[9]

功率半导体器件 [P].

H-J·舒尔策 ;

F·普菲尔施 ;

H·许斯肯 .

中国专利 :CN204130542U ,2015-01-28

[10]

功率半导体器件、半导体芯片和半导体芯片的制备方法 [P].

季明华 .

中国专利 :CN116404043B ,2024-01-26

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