用于短波半导体的发光二极管及荧光粉

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810180370.2

申请日：

2008-11-25

公开(公告)号：

CN101418219A

公开(公告)日：

2009-04-29

发明(设计)人：

索辛纳姆罗维鸿蔡绮睿

申请人：

申请人地址：

200231上海市徐汇区华泾路1305弄18号B座1楼

IPC主分类号：

C09K1186

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-29	公开	公开
2012-06-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101382532722 IPC(主分类):C09K 11/86 专利申请号:2008101803702 公开日:20090429
2009-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

发光二极管及其荧光粉 [P].

索辛纳姆 ;

罗维鸿 ;

蔡绮睿 .

中国专利 :CN101104802A ,2008-01-16

[2]

发光二极管及其荧光粉及有机薄膜层 [P].

索辛纳姆 ;

罗维鸿 ;

蔡绮睿 .

中国专利 :CN101104803A ,2008-01-16

[3]

用于发光二极管之氟化硼荧光粉及其制法 [P].

索辛纳姆 ;

罗维鸿 ;

蔡绮睿 .

中国专利 :CN101475799B ,2009-07-08

[4]

暖白光发光二极管及其溴化物荧光粉 [P].

索辛纳姆 ;

罗维鸿 ;

蔡绮睿 .

中国专利 :CN101368102A ,2009-02-18

[5]

暖白光发光二极管及其荧光粉 [P].

索辛纳姆 ;

罗维鸿 ;

蔡绮睿 .

中国专利 :CN101304066B ,2008-11-12

[6]

荧光粉组成及发光二极管元件 [P].

杨耀瑜 ;

吕侊懋 .

中国专利 :CN103980891A ,2014-08-13

[7]

用于发光二极管的荧光粉薄膜 [P].

林善仁 .

中国专利 :CN101295755A ,2008-10-29

[8]

发光二极管及半导体激光 [P].

太田裕道 ;

折田政宽 ;

细野秀雄 ;

河村贤一 ;

猿仓信彦 ;

平野正浩 .

中国专利 :CN1189952C ,2003-02-12

[9]

发光二极管及半导体发光器件 [P].

齐藤裕久 ;

广濑义幸 ;

永井阳一 ;

北林弘之 ;

池田亚矢子 .

中国专利 :CN100438091C ,2005-05-25

[10]

发光二极管的荧光粉封装 [P].

孙庆成 ;

马仕信 ;

李宗宪 .

中国专利 :CN101740679A ,2010-06-16

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