一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610671067.7

申请日：

2016-08-16

公开(公告)号：

CN106206773A

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

申燕吕晓伟

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

朱仁玲

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20160816 授权公告日:20170725 终止日期:20180816
2017-07-25	授权	授权
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695169228 IPC(主分类):H01L 31/0224 专利申请号:2016106710677 申请日:20160816
2016-12-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法 [P].

吕晓伟 ;

孙小华 ;

黄妞 ;

孙盼盼 .

中国专利 :CN110176505A ,2019-08-27

[2]

一种吡啶改性石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法 [P].

吕晓伟 ;

张顺 ;

陈德国 ;

孙盼盼 ;

孙小华 .

中国专利 :CN115627498A ,2023-01-20

[3]

一种吡啶改性石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法 [P].

吕晓伟 ;

张顺 ;

陈德国 ;

孙盼盼 ;

孙小华 .

中国专利 :CN115627498B ,2024-10-18

[4]

一种喷雾热聚合制备石墨相氮化碳薄膜电极的方法 [P].

鲍瑞 ;

伍锐 ;

易健宏 .

中国专利 :CN113667992A ,2021-11-19

[5]

磷掺杂石墨相氮化碳纳米薄膜的制备方法 [P].

卢小泉 ;

权晶晶 ;

秦冬冬 ;

李洋 ;

段世芳 ;

耿园园 ;

贺彩花 ;

王秋红 .

中国专利 :CN107043222B ,2017-08-15

[6]

一种石墨相氮化碳薄膜及其制备方法 [P].

禹晓梅 ;

史威 ;

韩超 ;

张彬 ;

李松杰 ;

郑金友 ;

王浩 ;

李敏 .

中国专利 :CN117466259A ,2024-01-30

[7]

一种石墨相氮化碳薄膜及其制备方法 [P].

赵元春 ;

赵紫琼 ;

李彤 ;

叶斗志 .

中国专利 :CN110590172A ,2019-12-20

[8]

一种石墨相氮化碳薄膜及其制备方法 [P].

禹晓梅 ;

史威 ;

韩超 ;

张彬 ;

李松杰 ;

郑金友 ;

王浩 ;

李敏 .

中国专利 :CN117466259B ,2025-08-29

[9]

一种碳掺杂石墨相氮化碳薄膜及其制备方法 [P].

张瑞勤 ;

熊伟 .

中国专利 :CN109894134A ,2019-06-18

[10]

一种硼或磷掺杂石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法 [P].

吕晓伟 ;

汪丽平 ;

张豆豆 ;

黄妞 ;

孙盼盼 ;

孙小华 .

中国专利 :CN114032578A ,2022-02-11

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