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控制电路以及理想二极管电路
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201780090155.0
申请日
:
2017-06-30
公开(公告)号
:
CN110574273B
公开(公告)日
:
2019-12-13
发明(设计)人
:
齐藤和彦
申请人
:
申请人地址
:
日本东京都千代田区大手町二丁目2番1号
IPC主分类号
:
H02M721
IPC分类号
:
G05F156
H02M712
H03K1700
H03K17687
代理机构
:
上海德昭知识产权代理有限公司 31204
代理人
:
郁旦蓉
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-11-16
授权
授权
2020-01-07
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 7/21 申请日:20170630
2019-12-13
公开
公开
共 50 条
[1]
理想二极管电路
[P].
汪榕
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
苏州华太电子技术股份有限公司
苏州华太电子技术股份有限公司
汪榕
;
陈亮
论文数:
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0
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0
机构:
苏州华太电子技术股份有限公司
苏州华太电子技术股份有限公司
陈亮
.
中国专利
:CN117595849A
,2024-02-23
[2]
理想二极管电路
[P].
汪榕
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
苏州华太电子技术股份有限公司
苏州华太电子技术股份有限公司
汪榕
;
丁士轩
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
苏州华太电子技术股份有限公司
苏州华太电子技术股份有限公司
丁士轩
.
中国专利
:CN117595848A
,2024-02-23
[3]
低功率理想二极管控制电路
[P].
T·B·莫金
论文数:
0
引用数:
0
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0
T·B·莫金
;
H·P·弗汉尼-扎德
论文数:
0
引用数:
0
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0
H·P·弗汉尼-扎德
.
中国专利
:CN110794728B
,2020-02-14
[4]
自偏置理想二极管电路
[P].
J·L·希斯
论文数:
0
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0
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0
机构:
亚德诺半导体国际无限责任公司
亚德诺半导体国际无限责任公司
J·L·希斯
;
T·W·巴塞罗
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
亚德诺半导体国际无限责任公司
亚德诺半导体国际无限责任公司
T·W·巴塞罗
.
:CN112075024B
,2024-09-24
[5]
低功率理想二极管控制电路
[P].
T·B·莫金
论文数:
0
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0
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0
T·B·莫金
;
H·P·弗汉尼-扎德
论文数:
0
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0
H·P·弗汉尼-扎德
.
中国专利
:CN107112918A
,2017-08-29
[6]
理想二极管电路
[P].
尹健
论文数:
0
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0
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机构:
无锡芯朋微电子股份有限公司
无锡芯朋微电子股份有限公司
尹健
;
聂坤
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机构:
无锡芯朋微电子股份有限公司
无锡芯朋微电子股份有限公司
聂坤
;
林晓伟
论文数:
0
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0
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机构:
无锡芯朋微电子股份有限公司
无锡芯朋微电子股份有限公司
林晓伟
;
胡斯哲
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机构:
无锡芯朋微电子股份有限公司
无锡芯朋微电子股份有限公司
胡斯哲
;
李海松
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机构:
无锡芯朋微电子股份有限公司
无锡芯朋微电子股份有限公司
李海松
.
中国专利
:CN118611423A
,2024-09-06
[7]
自偏置理想二极管电路
[P].
J·L·希斯
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J·L·希斯
;
T·W·巴塞罗
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0
T·W·巴塞罗
.
中国专利
:CN112075024A
,2020-12-11
[8]
理想二极管电路
[P].
尹健
论文数:
0
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机构:
无锡芯朋微电子股份有限公司
无锡芯朋微电子股份有限公司
尹健
;
聂坤
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机构:
无锡芯朋微电子股份有限公司
无锡芯朋微电子股份有限公司
聂坤
;
林晓伟
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机构:
无锡芯朋微电子股份有限公司
无锡芯朋微电子股份有限公司
林晓伟
;
胡斯哲
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机构:
无锡芯朋微电子股份有限公司
无锡芯朋微电子股份有限公司
胡斯哲
;
李海松
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机构:
无锡芯朋微电子股份有限公司
无锡芯朋微电子股份有限公司
李海松
.
中国专利
:CN118611422A
,2024-09-06
[9]
理想二极管及其控制电路
[P].
宁志华
论文数:
0
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0
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0
机构:
杭州士兰微电子股份有限公司
杭州士兰微电子股份有限公司
宁志华
;
李伟
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0
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0
机构:
杭州士兰微电子股份有限公司
杭州士兰微电子股份有限公司
李伟
.
中国专利
:CN109450234B
,2024-10-11
[10]
理想二极管及其控制电路
[P].
宁志华
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0
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0
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宁志华
;
李伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李伟
.
中国专利
:CN109450234A
,2019-03-08
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