一种高分子薄膜的制备方法

被引：0

申请号：

CN202210929298.9

申请日：

2022-08-03

公开(公告)号：

CN115383951A

公开(公告)日：

2022-11-25

发明(设计)人：

伍强贤

申请人：

申请人地址：

430079 湖北省武汉市洪山区珞喻路152号

IPC主分类号：

B29C4302

IPC分类号：

B23P1524 B29L700

代理机构：

武汉天力专利事务所 42208

代理人：

吴晓颖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-25	公开	公开
2022-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B29C 43/02 申请日:20220803

共 50 条

[1]

一种高分子薄膜的制备方法 [P].

伍强贤 .

中国专利 :CN115383951B ,2024-09-03

[2]

一种高分子柔性导电薄膜的制备方法 [P].

申有名 ;

张春香 ;

戴灵聪 ;

彭新菊 ;

彭珍 ;

谢滢婷 .

中国专利 :CN108024457B ,2018-05-11

[3]

一种干燥高分子薄膜的制备方法 [P].

严昊 ;

刘轶群 ;

潘国元 ;

张杨 ;

郭敏 .

中国专利 :CN105561798A ,2016-05-11

[4]

一种液晶/高分子薄膜的制备方法 [P].

杨槐 ;

任云霄 ;

胡威 ;

狐竣梅 ;

李慧 ;

王孝 ;

许建军 .

中国专利 :CN114456415A ,2022-05-10

[5]

一种液晶/高分子薄膜的制备方法 [P].

杨槐 ;

任云霄 ;

胡威 ;

狐竣梅 ;

李慧 ;

王孝 ;

许建军 .

中国专利 :CN116082679B ,2025-07-11

[6]

一种金属-高分子多层复合薄膜的制备方法 [P].

张锡强 ;

李欢乐 ;

王茜 ;

李珪 ;

赵羽晴 ;

余赐贤 .

中国专利 :CN109576678A ,2019-04-05

[7]

一种高分子薄膜生产制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112938582A ,2021-06-11

[8]

高分子薄膜驻极体的制造方法 [P].

王寿泰 ;

张国光 ;

张和康 .

中国专利 :CN1006502B ,1987-03-11

[9]

一种抗静电高分子薄膜及其制备方法 [P].

袁志奇 ;

李永军 ;

李晓飞 ;

曾颖哲 ;

王光硕 .

中国专利 :CN112341660B ,2021-02-09

[10]

一种高分子薄膜的再利用方法 [P].

许自林 .

中国专利 :CN109747070A ,2019-05-14

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