一种硅基负极材料及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211133219.X

申请日：

2022-09-16

公开(公告)号：

CN115621433A

公开(公告)日：

2023-01-17

发明(设计)人：

王双陈功哲汤刚杨乐之曹景超涂飞跃

申请人：

申请人地址：

410000 湖南省长沙市岳麓区麓山南路966号

IPC主分类号：

H01M436

IPC分类号：

H01M448 H01M462 C01B3312 C01B3205

代理机构：

长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213

代理人：

杨斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-17	公开	公开
2023-02-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/36 申请日:20220916

共 50 条

[1]

一种硅基负极材料及其制备方法 [P].

陈溢镭 ;

刘兆平 .

中国专利 :CN110649264A ,2020-01-03

[2]

一种硅基负极材料及其制备方法 [P].

张辰 ;

林少雄 ;

许家齐 ;

丁男 ;

刘海宁 ;

王辉 .

中国专利 :CN113725409A ,2021-11-30

[3]

一种硅基负极材料及其制备方法、电池、应用 [P].

姚佳伟 ;

李波 ;

马飞 ;

张健 ;

冯文乐 ;

宋健 .

中国专利 :CN117457882A ,2024-01-26

[4]

一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

韩美胜 ;

于杰 ;

李振伟 .

中国专利 :CN113479890B ,2021-10-08

[5]

多级结构硅基负极材料、改性硅基负极材料及制备、应用 [P].

李春洁 ;

吴玉虎 ;

李宇飞 ;

丁晓阳 ;

周波 .

中国专利 :CN117800321A ,2024-04-02

[6]

多级结构硅基负极材料、改性硅基负极材料及制备、应用 [P].

李春洁 ;

吴玉虎 ;

李宇飞 ;

丁晓阳 ;

周波 .

中国专利 :CN117800321B ,2025-12-09

[7]

一种硅基负极材料及其制备方法、应用 [P].

王秀田 ;

赵志刚 ;

海滨 ;

朱广燕 ;

杨玉梅 .

中国专利 :CN105680012B ,2016-06-15

[8]

一种硅基负极材料及其制备方法、应用 [P].

张小祝 ;

苏敏 ;

陈云 ;

许梦清 .

中国专利 :CN113381021A ,2021-09-10

[9]

硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

李彩彩 ;

杜思红 .

中国专利 :CN117766709A ,2024-03-26

[10]

一种硅基负极材料及其制备方法 [P].

胡毅 ;

陈艳丽 ;

沈桢 ;

陈仁忠 ;

何霞 .

中国专利 :CN105118974A ,2015-12-02

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