PMOS结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410438476.3

申请日：

2014-08-30

公开(公告)号：

CN105374684A

公开(公告)日：

2016-03-02

发明(设计)人：

李凤莲

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2120 H01L2978 H01L2906

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101652517970 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014104384763 申请日:20140830
2016-03-02	公开	公开
2019-07-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20160302

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法，PMOS晶体管及其形成方法 [P].

涂火金 ;

林静 .

中国专利 :CN102856202B ,2013-01-02

[2]

半导体结构及其形成方法，PMOS晶体管及其形成方法 [P].

涂火金 ;

林静 ;

何永根 .

中国专利 :CN102938377A ,2013-02-20

[3]

PMOS晶体管及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN104465377B ,2015-03-25

[4]

PMOS晶体管及其形成方法 [P].

韩秋华 ;

肖莉红 .

中国专利 :CN106298527B ,2017-01-04

[5]

PMOS晶体管及其形成方法 [P].

张海洋 ;

郑喆 .

中国专利 :CN106298915A ,2017-01-04

[6]

MOS晶体管的形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN104078358A ,2014-10-01

[7]

PMOS器件应力层结构及其形成方法 [P].

罗康 ;

汪军 .

中国专利 :CN110416298A ,2019-11-05

[8]

半导体结构及其形成方法、PMOS晶体管及其形成方法 [P].

涂火金 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN103426926A ,2013-12-04

[9]

半导体结构的形成方法，PMOS晶体管的形成方法 [P].

涂火金 ;

林静 ;

何永根 .

中国专利 :CN102931058B ,2013-02-13

[10]

PMOS晶体管及形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103377941B ,2013-10-30

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