一种高纯氧化铟制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010360849.5

申请日：

2020-04-30

公开(公告)号：

CN111453763B

公开(公告)日：

2020-07-28

发明(设计)人：

李斌罗泽亮

申请人：

申请人地址：

445000 湖北省恩施土家族苗族自治州恩施市金桂大道162号

IPC主分类号：

C01G1500

IPC分类号：

C25C122

代理机构：

武汉市首臻知识产权代理有限公司 42229

代理人：

刘牧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 15/00 申请日:20200430
2023-01-13	授权	授权
2020-07-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高纯氧化铟中铟含量测定方法 [P].

王骏峰 ;

解瑞松 ;

苏爱萍 ;

柴徐彬 ;

胡红丹 ;

朱锐 ;

石如祥 .

中国专利 :CN110261535A ,2019-09-20

[2]

一种电化学溶铟制备高纯氧化铟的方法 [P].

姚耀春 ;

唐健 ;

杨斌 ;

徐宝强 ;

蒋文龙 .

中国专利 :CN118954578A ,2024-11-15

[3]

一种制备高纯氧化铟粉末的电解槽装置 [P].

蒙红锦 ;

王立峰 .

中国专利 :CN222770972U ,2025-04-18

[4]

一种制备高纯氧化铟粉末的装置及其使用方法 [P].

周童 ;

徐国军 ;

蒋明伟 ;

张蛟 .

中国专利 :CN115893475B ,2024-06-04

[5]

一种高温溅射法制备高纯氧化铟的设备 [P].

张波 ;

樊家其 ;

肖璟 ;

沈伟利 ;

陈一博 ;

朱博洪 ;

刘春泉 .

中国专利 :CN115072766A ,2022-09-20

[6]

一种超高纯氧化铟粉体的制备方法 [P].

文宏福 ;

叶俊峰 ;

闻玉凤 .

中国专利 :CN112110480A ,2020-12-22

[7]

电解法制备高纯氧化铟粉末的方法及装置 [P].

彭巨擘 ;

张启旺 ;

崔涛 ;

许永姿 ;

陈光云 .

中国专利 :CN109183057A ,2019-01-11

[8]

一种痕量碳元素的高纯氧化铟纳米粉体的生产方法 [P].

史海月 ;

郭朋 ;

马闯 ;

陈志强 .

中国专利 :CN110615463A ,2019-12-27

[9]

一种纳米氧化铟的制备方法 [P].

李开杰 ;

邵学亮 ;

童培云 ;

朱刘 .

中国专利 :CN112323084A ,2021-02-05

[10]

一种高纯纳米氧化铟的制备方法 [P].

曾墩风 ;

陶成 ;

王志强 ;

盛明亮 .

中国专利 :CN113479929B ,2021-10-08

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