碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010766060.X

申请日：

2020-08-03

公开(公告)号：

CN112466752A

公开(公告)日：

2021-03-09

发明(设计)人：

大瀬直之小岛贵任

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L21329

IPC分类号：

H01L2128 H01L29872 H01L29417 H01L2945

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

包跃华;金玉兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/329 申请日:20200803
2021-03-09	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

小岛贵仁 ;

大瀬直之 .

日本专利 :CN113161232B ,2025-10-28

[2]

碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

小岛贵仁 ;

大瀬直之 .

中国专利 :CN113161232A ,2021-07-23

[3]

碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 ;

小岛贵仁 .

日本专利 :CN113228236B ,2024-08-09

[4]

碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 ;

小岛贵仁 .

中国专利 :CN113228236A ,2021-08-06

[5]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

熊田恵志郎 ;

桥爪悠一 ;

星保幸 ;

铃木启久 .

中国专利 :CN110383489A ,2019-10-25

[6]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

藤本卓巳 .

中国专利 :CN109841616A ,2019-06-04

[7]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

星保幸 ;

桥爪悠一 ;

熊田惠志郎 .

中国专利 :CN109390384A ,2019-02-26

[8]

碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置 [P].

中西洋介 ;

冈部博明 ;

吉田基 ;

须贺原和之 ;

富永贵亮 .

中国专利 :CN106165066A ,2016-11-23

[9]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

俵武志 ;

水岛智教 ;

松永慎一郎 ;

竹中研介 ;

武井学 ;

土田秀一 ;

村田晃一 ;

小山皓洋 ;

中山浩二 ;

染谷满 ;

米泽喜幸 ;

木内祐治 .

中国专利 :CN113892189A ,2022-01-04

[10]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

俵武志 ;

水岛智教 ;

松永慎一郎 ;

竹中研介 ;

武井学 ;

土田秀一 ;

村田晃一 ;

小山皓洋 ;

中山浩二 ;

染谷满 ;

米泽喜幸 ;

木内祐治 .

日本专利 :CN113892189B ,2025-04-18

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