一种高强度高导电性纳米晶体铜材料及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01114026.7

申请日：

2001-06-01

公开(公告)号：

CN1389597A

公开(公告)日：

2003-01-08

发明(设计)人：

卢磊卢柯

申请人：

申请人地址：

110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

IPC主分类号：

C25C112

IPC分类号：

C22F108 H01B102

代理机构：

沈阳科苑专利代理有限责任公司

代理人：

许宗富;周秀梅

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-18	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):C25C 1/12 申请日:20010601 授权公告日:20041222
2004-12-22	授权	授权
2003-01-08	公开	公开
2003-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种高强度高导电性纳米晶体铜材料及制备方法 [P].

花银群 ;

陈瑞芳 .

中国专利 :CN102031490A ,2011-04-27

[2]

一种超高强度超高导电性纳米孪晶铜材料及制备方法 [P].

卢磊 ;

斯晓 ;

申勇峰 ;

卢柯 .

中国专利 :CN1234914C ,2004-05-26

[3]

一种高强度、高导电纯铜材料的制备方法 [P].

朱心昆 ;

陶静梅 ;

李才巨 ;

徐孟春 ;

尚青亮 ;

杨鹏 .

中国专利 :CN101392359A ,2009-03-25

[4]

一种高强度高导电纯铜材料及其制备方法 [P].

刘敬君 .

中国专利 :CN103469133A ,2013-12-25

[5]

一种新型高导电率、高强度石墨烯/铜材料及其制备方法 [P].

段绵俊 ;

魏玲 ;

王怀晓 ;

张中威 .

中国专利 :CN103614583B ,2014-03-05

[6]

一种高强度高导电性铜合金的制备方法 [P].

赵宇宏 ;

徐凤强 ;

顾涛 ;

郭云龙 ;

侯华 .

中国专利 :CN110144486A ,2019-08-20

[7]

导电性高强度致密陶瓷 [P].

贾开印 .

中国专利 :CN1098708A ,1995-02-15

[8]

一种高强度紫铜材料及其制备方法 [P].

张峻融 ;

赵健 ;

臧经梅 ;

鲁浩 ;

陈忠平 ;

向朝建 ;

熊诗雨 ;

方振辉 ;

胡玉峰 ;

潘菲 .

中国专利 :CN119194155A ,2024-12-27

[9]

高导电性高强度石墨烯架空导线 [P].

冯国竟 .

中国专利 :CN205564316U ,2016-09-07

[10]

一种高强度高导电碳纳米材料薄膜的制备方法 [P].

李芳丽 ;

张万虎 ;

李圆圆 ;

刘玮 ;

许福军 .

中国专利 :CN108172319A ,2018-06-15

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