一种梯度内氧化法制备银氧化锡氧化铟电接触材料的工艺方法及其材料

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专利类型
发明
申请号
CN201110066746.9
申请日
2011-05-25
公开(公告)号
CN102154572A
公开(公告)日
2011-08-17
发明(设计)人
刘远廷 刘承峰 石建华 杨根涛
申请人
申请人地址
315221 浙江省宁波市镇海区镇宁西路101弄58号
IPC主分类号
C22C110
IPC分类号
C22C3200 C22C506 H01H10237
代理机构
宁波市天晟知识产权代理有限公司 33219
代理人
张文忠
法律状态
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国省代码
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共 50 条
[1]
银氧化锡氧化铟电接触材料及其制备方法 [P]. 
王磊 .
中国专利 :CN121065517A ,2025-12-05
[2]
单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料及其制备方法 [P]. 
穆成法 ;
杨辉 .
中国专利 :CN110391095A ,2019-10-29
[3]
一种银氧化锡氧化铟电接触材料的制备方法 [P]. 
蒋义斌 ;
张绍峰 ;
肖光 ;
郑大受 ;
吴子钒 ;
黄文锋 .
中国专利 :CN114438366A ,2022-05-06
[4]
一种银氧化锡氧化铟电接触材料及其制备方法 [P]. 
张泽忠 ;
陈晓 ;
吴新合 ;
穆成法 ;
祁更新 ;
陈林驰 .
中国专利 :CN107794389B ,2018-03-13
[5]
银氧化锡氧化铟电接触复合材料及其制备方法 [P]. 
穆成法 ;
沈涛 ;
王开旭 ;
张林 ;
陈林驰 .
中国专利 :CN114360948A ,2022-04-15
[6]
银氧化锡氧化铟电接触复合材料及其制备方法 [P]. 
穆成法 ;
沈涛 ;
王开旭 ;
张林 ;
陈林驰 .
中国专利 :CN114360948B ,2024-08-02
[7]
一种可快速氧化银氧化锡氧化铟电接触材料及制备方法 [P]. 
穆成法 ;
祁更新 ;
陈家帆 ;
张舟磊 ;
杨辉 .
中国专利 :CN110423908A ,2019-11-08
[8]
一种抗直流转移银氧化锡氧化铟电接触材料的制备工艺 [P]. 
张顺乐 ;
胡烈鹏 ;
朱流 ;
汤进军 ;
任万滨 ;
汪明明 ;
乐平 .
中国专利 :CN117821791A ,2024-04-05
[9]
一种银氧化锡氧化铟触点材料的制备方法 [P]. 
颜小芳 ;
柏小平 ;
周龙 ;
李杰 ;
张秀芳 ;
杨昌麟 ;
林万焕 .
中国专利 :CN105702503A ,2016-06-22
[10]
银氧化锡电接触材料的制备方法 [P]. 
刘远廷 ;
高明明 ;
潘宇 ;
王圣明 ;
姚金秋 ;
张健 .
中国专利 :CN110643847B ,2020-01-03