提高生长质量的LED外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811210449.5

申请日：

2018-10-17

公开(公告)号：

CN109300855A

公开(公告)日：

2019-02-01

发明(设计)人：

徐平

申请人：

申请人地址：

423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区

IPC主分类号：

H01L2186

IPC分类号：

H01L3300 H01L3302 H01L3306 H01L3312 H01L3332

代理机构：

北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603

代理人：

于淼

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/86 申请公布日:20190201
2019-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/86 申请日:20181017
2019-02-01	公开	公开

共 50 条

[1]

LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109378377B ,2019-02-22

[2]

LED外延片生长方法 [P].

徐平 ;

吴奇峰 .

中国专利 :CN109378371A ,2019-02-22

[3]

4英寸LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

季辉 ;

吴奇峰 .

中国专利 :CN109638121B ,2019-04-16

[4]

LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

冯磊 ;

王杰 .

中国专利 :CN109888066B ,2019-06-14

[5]

LED外延片生长方法 [P].

徐平 ;

吴奇峰 .

中国专利 :CN109300854A ,2019-02-01

[6]

提高底部结晶质量的LED外延生长方法 [P].

朱耀强 ;

苗振林 ;

徐平 .

中国专利 :CN108767074A ,2018-11-06

[7]

适用于AlN衬底的LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

吴奇峰 .

中国专利 :CN109300856A ,2019-02-01

[8]

提高外延晶体质量的LED生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN105789388A ,2016-07-20

[9]

一种提升结晶质量的GaN基LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

胡耀武 .

中国专利 :CN113990988A ,2022-01-28

[10]

适用于4英寸衬底的LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

季辉 ;

吴奇峰 .

中国专利 :CN109860342B ,2019-06-07

← 1 2 3 4 5 →