一种基于银纳米线的透明电极及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811147467.3

申请日：

2018-09-29

公开(公告)号：

CN109346242A

公开(公告)日：

2019-02-15

发明(设计)人：

宁洪龙李志航姚日晖李晓庆袁炜健史沐杨周尚雄卢宽宽刘贤哲彭俊彪

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01B1300

IPC分类号：

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

雷月华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 13/00 申请日:20180929
2020-04-28	授权	授权
2019-02-15	公开	公开

共 50 条

[1]

大面积制备银纳米线透明电极的方法及银纳米线透明电极 [P].

杨柳 ;

寇鹏飞 ;

迟克群 ;

何赛灵 .

中国专利 :CN104616833A ,2015-05-13

[2]

一种银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在OLED上的应用 [P].

王帅 ;

甘李 ;

杨建文 ;

周明 .

中国专利 :CN114335379A ,2022-04-12

[3]

银纳米线和氧化锌纳米线单层透明电极及其制备方法 [P].

马延文 ;

周伟欣 ;

冯晓苗 ;

张自强 ;

邵梓桥 ;

张亭亭 ;

焦云飞 .

中国专利 :CN103943171A ,2014-07-23

[4]

一种银纳米线网格透明电极的制备方法 [P].

韩涛 ;

李德 ;

曹仕秀 ;

彭玲玲 .

中国专利 :CN107481801A ,2017-12-15

[5]

一种半嵌入银纳米线复合透明电极及其制备方法 [P].

李永文 ;

王靖翔 .

中国专利 :CN114898913A ,2022-08-12

[6]

一种半嵌入银纳米线复合透明电极及其制备方法 [P].

李永文 ;

王靖翔 .

中国专利 :CN114898913B ,2024-09-10

[7]

一种基于银纳米线的涂层及其制备方法 [P].

董立华 .

中国专利 :CN107587124A ,2018-01-16

[8]

一种银纳米线透明导电电极的制备方法 [P].

高进伟 ;

李若朋 ;

韩兵 ;

彭强 ;

吴永健 .

中国专利 :CN104658700B ,2015-05-27

[9]

一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法 [P].

任芳芳 ;

胡朝俊 .

中国专利 :CN113823460A ,2021-12-21

[10]

一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法 [P].

任芳芳 ;

胡朝俊 .

中国专利 :CN113823460B ,2024-04-16

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