Ti3C2 MXene纳米片材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010005941.X

申请日：

2020-01-03

公开(公告)号：

CN111153405B

公开(公告)日：

2020-05-15

发明(设计)人：

余俊胡爱玲赵惠忠张寒

申请人：

申请人地址：

430000 湖北省武汉市和平大道947号

IPC主分类号：

C01B32921

IPC分类号：

H01M4587 H01M100525 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238

代理人：

易滨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-27	授权	授权
2020-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/921 申请日:20200103
2020-05-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种剥离Ti3C2纳米片的方法 [P].

虞锦洪 ;

吴宇明 ;

曹勇 ;

褚伍波 ;

林正得 ;

江南 .

中国专利 :CN109250718A ,2019-01-22

[2]

一种利用超声辅助制备分层的Mxene‑Ti3C2的方法 [P].

林道辉 ;

克里斯哈拉莫斯·拉贾威尔 ;

柯涛 .

中国专利 :CN107324335A ,2017-11-07

[3]

一种钠离子插层Ti3C2 MXene材料及其制备方法 [P].

余俊 ;

胡爱玲 ;

赵惠忠 ;

张寒 .

中国专利 :CN109437172A ,2019-03-08

[4]

一种用于高性能钾离子电池的MoS2/Ti3C2 MXene复合材料的制备方法 [P].

尹龙卫 ;

赵瑞正 ;

王成祥 ;

赵丹阳 ;

惠晓斌 ;

丁明洁 .

中国专利 :CN112054199A ,2020-12-08

[5]

一种用于高性能钾离子电池的MoS2/Ti3C2 MXene复合材料的制备方法 [P].

尹龙卫 ;

赵瑞正 ;

王成祥 ;

赵丹阳 ;

惠晓斌 ;

丁明洁 .

中国专利 :CN113675408A ,2021-11-19

[6]

一种MXene-Ti3C2纳米片的制备方法及其应用 [P].

王子韩 ;

张文智 ;

张亮 .

中国专利 :CN109569494A ,2019-04-05

[7]

超薄Ti3C2纳米片自组装的超级电容器电极的制备方法 [P].

王晓辉 ;

胡敏敏 ;

李昭进 ;

张辉 ;

胡涛 .

中国专利 :CN104795252B ,2015-07-22

[8]

一种二维纳米片晶Ti3C2烯的制备方法 [P].

李世波 ;

胡树郡 ;

李浩林 ;

周洋 ;

李翠伟 ;

黄振莺 ;

翟洪祥 .

中国专利 :CN106744961A ,2017-05-31

[9]

一种用于高性能钾离子电池的3D多孔Sb/Ti3C2 MXene复合材料的制备方法 [P].

尹龙卫 ;

赵瑞正 ;

王成祥 ;

惠晓斌 ;

赵丹阳 ;

邸浩翔 ;

张志薇 ;

张芦元 .

中国专利 :CN111710862B ,2020-09-25

[10]

一种单分散Ti3C2纳米线透明电极的制备方法 [P].

赵为为 ;

金贝贝 ;

赵强 ;

刘淑娟 ;

黄维 .

中国专利 :CN111128568A ,2020-05-08

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