一种具有芯片保护功能的TVS瞬态抑制二极管

被引：0

申请号：

CN202221753815.3

申请日：

2022-07-08

公开(公告)号：

CN217881523U

公开(公告)日：

2022-11-22

发明(设计)人：

陈朱雄陈敏云

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市福田区振华路华强广场A座12楼D

IPC主分类号：

H01L29861

IPC分类号：

H01L2348 H01L2304 H01L2331

代理机构：

深圳德永专利代理事务所(普通合伙) 44641

代理人：

钟容

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种TVS瞬态抑制二极管 [P].

路尚伟 ;

王兴超 ;

于秀娟 .

中国专利 :CN211480017U ,2020-09-11

[2]

瞬态抑制二极管 [P].

龚闯 ;

张常军 .

中国专利 :CN222071953U ,2024-11-26

[3]

瞬态抑制二极管 [P].

钱淼 ;

李飞帆 ;

邱显羣 .

中国专利 :CN216413063U ,2022-04-29

[4]

瞬态抑制二极管 [P].

徐谦 ;

庄娟梅 .

中国专利 :CN209496880U ,2019-10-15

[5]

瞬态抑制二极管 [P].

陆亚斌 .

中国专利 :CN215680671U ,2022-01-28

[6]

一种瞬态抑制二极管 [P].

张国俊 .

中国专利 :CN212848414U ,2021-03-30

[7]

一种瞬态抑制二极管 [P].

王兴乐 ;

何颖儿 ;

王顺安 ;

王深彪 ;

王兴安 .

中国专利 :CN221805510U ,2024-10-01

[8]

一种瞬态抑制二极管 [P].

赵锐 ;

刘韵吉 ;

杨敏红 ;

刘诚 .

中国专利 :CN204045600U ,2014-12-24

[9]

瞬态抑制二极管的制造方法和瞬态抑制二极管 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN106298509B ,2017-01-04

[10]

瞬态抑制二极管的制造方法和瞬态抑制二极管 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN106298511A ,2017-01-04

← 1 2 3 4 5 →