大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510004573.2

申请日：

2005-01-18

公开(公告)号：

CN100375235C

公开(公告)日：

2006-07-26

发明(设计)人：

王晓欣王启明

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

C01B33021 C01B33113 B82B300

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-17	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2006-07-26	公开	公开
2006-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法 [P].

吴摞 ;

滕大勇 ;

李淑鑫 ;

何微微 ;

叶长辉 .

中国专利 :CN103011181B ,2013-04-03

[2]

一种二氧化硅纳米线的制备方法 [P].

明海 ;

张文峰 ;

祝夏雨 ;

周洪 ;

曹高萍 .

中国专利 :CN106809841A ,2017-06-09

[3]

一种二氧化硅纳米线的制备方法 [P].

黄美艳 ;

曹建苹 ;

孟兴 .

中国专利 :CN106927471A ,2017-07-07

[4]

一种二氧化硅纳米线的制备方法 [P].

朱艳 ;

贺胤 ;

黎振华 ;

张际帆 ;

沈韬 .

中国专利 :CN106044783B ,2016-10-26

[5]

单晶二氧化钛纳米棒大面积生长方法及该纳米棒的应用 [P].

王成伟 ;

陈建彪 ;

李燕 ;

王建 ;

康佑民 .

中国专利 :CN102146586A ,2011-08-10

[6]

纳米二氧化硅制备方法 [P].

任天斌 ;

肖国权 ;

韩宇 .

中国专利 :CN103897436A ,2014-07-02

[7]

纳米二氧化硅的制备方法 [P].

王永庆 .

中国专利 :CN104150490B ,2014-11-19

[8]

纳米二氧化硅的制备方法 [P].

陈全羿 .

中国专利 :CN117819558A ,2024-04-05

[9]

纳米二氧化硅的制备方法 [P].

杨儒 ;

李敏 ;

张广延 ;

刘埃林 ;

孔建民 ;

汪英杰 ;

周立平 ;

钟后国 ;

沈军 .

中国专利 :CN1273382C ,2005-06-15

[10]

纳米二氧化硅的制备方法 [P].

李丹 ;

谷振宇 ;

王固霞 ;

郭生伟 .

中国专利 :CN120903514A ,2025-11-07

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