发光二极管的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210185681.4

申请日：

2012-06-07

公开(公告)号：

CN103474520A

公开(公告)日：

2013-12-25

发明(设计)人：

朱钧张淏酥李群庆金国藩范守善

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3344 H01L3346

代理机构：

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法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-13	授权	授权
2013-12-25	公开	公开
2014-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101564922407 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2012101856814 申请日:20120607

共 50 条

[1]

发光二极管的制备方法 [P].

朱钧 ;

张淏酥 ;

李群庆 ;

金国藩 ;

范守善 .

中国专利 :CN103474523A ,2013-12-25

[2]

发光二极管 [P].

朱钧 ;

张淏酥 ;

朱振东 ;

李群庆 ;

金国藩 ;

范守善 .

中国专利 :CN103474543B ,2013-12-25

[3]

发光二极管 [P].

朱钧 ;

张淏酥 ;

李群庆 ;

金国藩 ;

范守善 .

中国专利 :CN103474530A ,2013-12-25

[4]

发光二极管的制备方法 [P].

朱钧 ;

张淏酥 ;

朱振东 ;

李群庆 ;

金国藩 ;

范守善 .

中国专利 :CN103474521B ,2013-12-25

[5]

发光二极管的制备方法 [P].

朱钧 ;

张淏酥 ;

朱振东 ;

李群庆 ;

金国藩 ;

范守善 .

中国专利 :CN103474532B ,2013-12-25

[6]

发光二极管的制备方法 [P].

张淏酥 ;

朱钧 ;

李群庆 ;

金国藩 ;

范守善 .

中国专利 :CN103474525B ,2013-12-25

[7]

发光二极管的制备方法 [P].

张淏酥 ;

朱钧 ;

李群庆 ;

金国藩 ;

范守善 .

中国专利 :CN103474519A ,2013-12-25

[8]

发光二极管 [P].

朱钧 ;

张淏酥 ;

李群庆 ;

金国藩 ;

范守善 .

中国专利 :CN103474531A ,2013-12-25

[9]

发光二极管 [P].

朱钧 ;

张淏酥 ;

朱振东 ;

李群庆 ;

金国藩 ;

范守善 .

中国专利 :CN103474547A ,2013-12-25

[10]

发光二极管 [P].

朱振东 ;

李群庆 ;

范守善 .

中国专利 :CN109004075A ,2018-12-14

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