半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710228370.4

申请日：

2017-04-10

公开(公告)号：

CN108695375A

公开(公告)日：

2018-10-23

发明(设计)人：

李勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20170410
2018-10-23	公开	公开
2022-03-18	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20181023

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN108695254B ,2018-10-23

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

张严 .

中国专利 :CN119653806B ,2025-10-03

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

张严 .

中国专利 :CN119653806A ,2025-03-18

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN109309088A ,2019-02-05

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

纪世良 ;

肖杏宇 ;

张海洋 .

中国专利 :CN114068704B ,2024-03-22

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

纪世良 ;

肖杏宇 ;

张海洋 .

中国专利 :CN114068704A ,2022-02-18

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

纪世良 ;

刘盼盼 .

中国专利 :CN113327857A ,2021-08-31

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

郑二虎 .

中国专利 :CN116031259B ,2025-09-05

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110890279A ,2020-03-17

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

金吉松 .

中国专利 :CN115602717A ,2023-01-13

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