一种晶体硅太阳电池的背面电极结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201020122040.0
申请日
2010-02-26
公开(公告)号
CN201608193U
公开(公告)日
2010-10-13
发明(设计)人
章灵军 王栩生 王立建
申请人
申请人地址
215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号
IPC主分类号
H01L3105
IPC分类号
H01L310224
代理机构
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人
陶海锋
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[1]
晶体硅太阳电池的背面电极结构 [P]. 
章灵军 ;
王栩生 ;
王立建 .
中国专利 :CN201616438U ,2010-10-27
[2]
晶体硅太阳电池的正面电极结构 [P]. 
章灵军 ;
王栩生 ;
王立建 .
中国专利 :CN201796897U ,2011-04-13
[3]
晶体硅太阳电池片背面电极结构 [P]. 
陈斌 ;
李华维 ;
黄岳文 ;
徐晓群 ;
孙励斌 ;
甘旭 ;
殷海亭 ;
唐则祁 ;
胡宏勋 .
中国专利 :CN201349002Y ,2009-11-18
[4]
一种晶体硅太阳电池背面电极结构 [P]. 
贾河顺 ;
姜言森 ;
程亮 ;
任现坤 ;
张春艳 ;
孙继峰 ;
马继磊 ;
徐振华 ;
李钢 .
中国专利 :CN202871804U ,2013-04-10
[5]
一种晶体硅太阳电池背面电极结构 [P]. 
李钢 ;
徐振华 ;
杨晓君 .
中国专利 :CN203491270U ,2014-03-19
[6]
一种晶体硅太阳电池的背面电极结构 [P]. 
黄海宾 ;
周浪 .
中国专利 :CN203659884U ,2014-06-18
[7]
一种晶体硅太阳电池的电极结构 [P]. 
屈道宽 ;
许可 ;
付新春 ;
王连海 ;
闫树兵 ;
王素梅 ;
静国梁 .
中国专利 :CN202695463U ,2013-01-23
[8]
晶体硅太阳电池背电极 [P]. 
周之斌 ;
刘阳 ;
丁开顺 ;
汪甡杰 ;
方超 ;
马玉锋 ;
方健 ;
杨健 .
中国专利 :CN201966217U ,2011-09-07
[9]
一种晶体硅太阳电池正面电极结构 [P]. 
贾河顺 ;
姜言森 ;
程亮 ;
任现坤 ;
张春艳 ;
孙继峰 ;
马继磊 ;
徐振华 ;
李钢 .
中国专利 :CN202871805U ,2013-04-10
[10]
一种晶体硅太阳电池前电极 [P]. 
陈奕峰 ;
皮尔·威灵顿 ;
杨阳 ;
徐冠超 ;
张舒 .
中国专利 :CN203456476U ,2014-02-26