半导体发光装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320712525.9

申请日：

2013-11-12

公开(公告)号：

CN203774363U

公开(公告)日：

2014-08-13

发明(设计)人：

小山田和

申请人：

申请人地址：

日本东京都西东京市田无町六丁目1番12号

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L3350 H01L3360 H01L3300 H01L3354

代理机构：

上海市华诚律师事务所 31210

代理人：

徐晓静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-13	授权	授权
2017-03-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101748678612 IPC(主分类):H01L 33/48 专利号:ZL2013207125259 变更事项:专利权人变更前:西铁城控股株式会社变更后:西铁城时计株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都西东京市田无町六丁目1番12号变更后:日本国东京都西东京市田无町六丁目1番12号变更事项:专利权人变更前:西铁城电子株式会社变更后:西铁城电子株式会社

共 50 条

[1]

半导体发光装置 [P].

近藤亮介 .

中国专利 :CN101651136B ,2010-02-17

[2]

半导体发光装置 [P].

井上登美男 ;

真田研一 ;

小屋贤一 ;

福田康彦 .

中国专利 :CN100405622C ,2006-05-24

[3]

半导体发光装置 [P].

姥原伸公 ;

出口宏一郎 ;

山田孝夫 .

中国专利 :CN103354955A ,2013-10-16

[4]

半导体发光元件、半导体发光装置及半导体发光装置模块 [P].

平间聪 ;

河野圭真 ;

市川幸治 ;

神原大蔵 ;

堀尾直史 .

日本专利 :CN118830092A ,2024-10-22

[5]

半导体发光元件和半导体发光装置 [P].

村山雅洋 ;

石合善徳 ;

菊地雄一郎 .

中国专利 :CN104300066A ,2015-01-21

[6]

半导体发光元件及半导体发光装置 [P].

家段胜好 ;

井上芳树 .

中国专利 :CN102132426A ,2011-07-20

[7]

半导体发光元件和半导体发光装置 [P].

中岛三郎 ;

古泽浩太郎 ;

后藤壮谦 .

中国专利 :CN1874018A ,2006-12-06

[8]

半导体发光装置及半导体发光模块 [P].

小田原正树 ;

池田贤司 ;

锦昌太郎 ;

东山鼓 ;

新野和久 .

中国专利 :CN113544235A ,2021-10-22

[9]

半导体发光元件及半导体发光装置 [P].

中田克弥 ;

柴田康之 ;

小川昭雄 .

日本专利 :CN120513711A ,2025-08-19

[10]

半导体发光装置 [P].

千野根康仁 ;

梶田正喜 ;

日比谷一亲 .

中国专利 :CN101800281B ,2010-08-11

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