p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810356314.3

申请日：

2018-04-19

公开(公告)号：

CN108538714A

公开(公告)日：

2018-09-14

发明(设计)人：

郭艳敏房玉龙尹甲运李佳王波张志荣芦伟立高楠冯志红

申请人：

申请人地址：

050051 河北省石家庄市合作路113号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

王丽巧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-15	授权	授权
2018-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20180419
2018-09-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种P型Ⅲ族氮化物材料的制作方法 [P].

王向武 .

中国专利 :CN1279585C ,2004-02-11

[2]

氮化物材料的制备方法及氮化物材料 [P].

梁智文 ;

王琦 ;

袁冶 ;

王新强 ;

汪青 ;

张国义 .

中国专利 :CN111816550A ,2020-10-23

[3]

提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜 [P].

张宁 ;

冯梁森 ;

魏学成 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN109638118A ,2019-04-16

[4]

P型Ⅲ族氮化物半导体以及Ⅲ族氮化物半导体元件 [P].

木下亨 ;

柳裕之 ;

高田和哉 .

中国专利 :CN101636853A ,2010-01-27

[5]

制造p型III族氮化物半导体的方法以及III族氮化物半导体发光器件 [P].

小早川真人 .

中国专利 :CN100472716C ,2006-12-06

[6]

p型第III族氮化物半导体的制造方法 [P].

永田贤吾 .

日本专利 :CN114122199B ,2024-08-27

[7]

p型第III族氮化物半导体的制造方法 [P].

永田贤吾 .

中国专利 :CN114122199A ,2022-03-01

[8]

Ⅲ族氮化物模板的制备方法 [P].

何晨光 ;

张康 ;

吴华龙 ;

贺龙飞 ;

陈志涛 ;

赵维 ;

廖乾光 ;

刘云洲 .

中国专利 :CN112687523B ,2021-04-20

[9]

用于生长Ⅲ族氮化物材料的设备 [P].

李腾坤 ;

任国强 ;

徐科 .

中国专利 :CN218321736U ,2023-01-17

[10]

Ⅲ族氮化物结晶的制造方法、Ⅲ族氮化物结晶的制造装置及Ⅲ族氮化物结晶 [P].

皿山正二 ;

岩田浩和 ;

布施晃广 .

中国专利 :CN101175875A ,2008-05-07

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