晶体硅太阳能电池用背银浆及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210252893.3

申请日：

2022-03-15

公开(公告)号：

CN114758812A

公开(公告)日：

2022-07-15

发明(设计)人：

陈浩宇杨红崔隆宇夏粱彭亮李加宁乔梦书张永福

申请人：

申请人地址：

618000 四川省德阳市旌阳区庐山南路三段36号

IPC主分类号：

H01B116

IPC分类号：

H01B122 H01B1300 H01L310224

代理机构：

成都希盛知识产权代理有限公司 51226

代理人：

廖文丽;柯海军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 1/16 申请日:20220315
2022-07-15	公开	公开

共 50 条

[1]

晶体硅太阳能电池用背银浆及其制备方法 [P].

陈浩宇 ;

杨红 ;

崔隆宇 ;

夏粱 ;

彭亮 ;

李加宁 ;

乔梦书 ;

张永福 .

中国专利 :CN114758812B ,2024-11-01

[2]

晶体硅太阳能电池背场银浆及其制备方法 [P].

郭万东 ;

汪圣付 ;

袁艺琴 ;

孟祥法 ;

刘晶晶 ;

董培才 .

中国专利 :CN102831954A ,2012-12-19

[3]

晶体硅太阳能电池正面用导电银浆 [P].

任明淑 ;

刘子英 ;

何红伟 ;

马亚男 ;

徐建伟 ;

王小记 ;

柳青 ;

赵双林 .

中国专利 :CN104575667A ,2015-04-29

[4]

低成本晶体硅太阳能电池用无铅背银浆及制备方法 [P].

任明淑 ;

刘子英 ;

马亚男 ;

苏腾龙 ;

徐建伟 ;

王小记 .

中国专利 :CN103440901B ,2013-12-11

[5]

晶体硅太阳能电池正面用银浆及其制备方法 [P].

汪贺杏 ;

胡文晋 .

中国专利 :CN101964219B ,2011-02-02

[6]

一种耐老化的晶体硅太阳能电池用背银浆及其制备方法 [P].

朱鹏 .

中国专利 :CN105825913A ,2016-08-03

[7]

晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆及其制备方法 [P].

朱鹏 ;

陈卫明 .

中国专利 :CN103531265B ,2014-01-22

[8]

背钝化晶体硅太阳能电池用正面银浆及其制备方法和应用 [P].

李潘剑 .

中国专利 :CN108695011A ,2018-10-23

[9]

一种晶体硅太阳能电池背电场银浆的制备方法 [P].

李驰 .

中国专利 :CN102655040B ,2012-09-05

[10]

晶体硅太阳能电池正面电极银浆及其制备方法 [P].

王惠 ;

齐学亮 ;

刘召 .

中国专利 :CN102157219B ,2011-08-17

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