局部放电传感器内置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910119356.6

申请日：

2009-03-25

公开(公告)号：

CN101545923A

公开(公告)日：

2009-09-30

发明(设计)人：

肖传强蔡洪波高海松

申请人：

申请人地址：

101500北京市密云县工业开发区水源路105号

IPC主分类号：

G01R102

IPC分类号：

G01R3112

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101198909732 IPC(主分类):G01R 1/02 专利申请号:2009101193566 申请日:20090325
2012-09-05	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101450737020 IPC(主分类):G01R 1/02 专利申请号:2009101193566 变更事项:发明人变更前:肖传强;蔡洪波;高海松变更后:肖传强;戴洪宾;蔡洪波
2014-05-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101700860146 IPC(主分类):G01R 1/02 专利申请号:2009101193566 申请公布日:20090930
2009-09-30	公开	公开

共 50 条

[1]

局部放电传感器内置装置 [P].

肖传强 ;

蔡洪波 ;

高海松 .

中国专利 :CN201561989U ,2010-08-25

[2]

局部放电传感器 [P].

柳崇 ;

深泽徹 ;

吉田晓 ;

伊藤隆史 .

中国专利 :CN105593693A ,2016-05-18

[3]

局部放电传感器 [P].

柳崇 ;

深泽徹 ;

伊藤隆史 .

中国专利 :CN106104287B ,2016-11-09

[4]

局部放电传感器 [P].

深泽彻 ;

宫下裕章 ;

伊藤隆史 .

中国专利 :CN103250064A ,2013-08-14

[5]

局部放电传感器 [P].

李洪杰 ;

颜源 ;

金磊 ;

夏欣 ;

韩强 .

中国专利 :CN309161838S ,2025-03-11

[6]

局部放电传感器 [P].

李志刚 ;

肖传强 .

中国专利 :CN303273978S ,2015-07-08

[7]

局部放电传感器 [P].

深泽徹 ;

伊藤隆史 ;

宫下裕章 .

中国专利 :CN104769449A ,2015-07-08

[8]

局部放电传感器 [P].

刘吉成 ;

吴博 ;

李彧 ;

高宁 ;

李华帅 ;

史艳 .

中国专利 :CN210775725U ,2020-06-16

[9]

局部放电传感器壳体 [P].

于希彬 ;

苏明 ;

毛湘钧 ;

杨会轩 ;

颜培粱 ;

段英杰 .

中国专利 :CN309472892S ,2025-09-02

[10]

新型局部放电传感器 [P].

吴文海 ;

戴通令 ;

刘波 ;

聂鑫 ;

董宇翬 .

中国专利 :CN210775724U ,2020-06-16

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