一种无氧化插层制备石墨烯的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510031258.2

申请日：

2015-01-21

公开(公告)号：

CN104528706A

公开(公告)日：

2015-04-22

发明(设计)人：

钦琛

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区国定路323号1101-43室

IPC主分类号：

C01B3104

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-22	公开	公开
2017-02-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101746411456 IPC(主分类):C01B 31/04 专利申请号:2015100312582 申请公布日:20150422
2015-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101609914143 IPC(主分类):C01B 31/04 专利申请号:2015100312582 申请日:20150121

共 50 条

[1]

一种基于氧化插层的石墨烯制备方法及石墨烯 [P].

赵利平 ;

吴红 .

中国专利 :CN117446795A ,2024-01-26

[2]

一种氧化插层石墨快速制备石墨烯的反应装置 [P].

王昆明 .

中国专利 :CN105883782B ,2016-08-24

[3]

一种氧化插层石墨快速制备石墨烯的反应装置 [P].

王昆明 .

中国专利 :CN205472680U ,2016-08-17

[4]

一种大片层氧化石墨烯的制备方法 [P].

郝福瑞 ;

周忠福 ;

李玲 ;

童磊 ;

胡琪卉 ;

俞健舒 ;

王云龙 ;

王会利 ;

王清露 ;

张晓玉 ;

张泽汇 ;

张家平 .

中国专利 :CN105293477B ,2016-02-03

[5]

一种石墨烯插层化合物的制备方法 [P].

苗中正 ;

田华雨 ;

苗中明 .

中国专利 :CN109437175A ,2019-03-08

[6]

石墨插层化合物及氧化石墨烯的制备方法 [P].

纪磊 ;

孔颖超 ;

时海祥 ;

钱程 ;

孙旭冉 ;

唐润理 ;

方钢 ;

瞿研 .

中国专利 :CN116730331B ,2025-11-04

[7]

一种石墨烯及氧化石墨烯的制备方法 [P].

高超 ;

黄昊光 ;

彭蠡 .

中国专利 :CN110642244A ,2020-01-03

[8]

一种单层氧化石墨烯的制备方法 [P].

黄正宏 ;

丁翔 ;

康飞宇 ;

沈万慈 .

中国专利 :CN102897757A ,2013-01-30

[9]

一种弱氧化插层剥离制备氧化石墨烯的方法 [P].

金利华 ;

王耀 ;

李成山 ;

冯建情 ;

贾佳林 ;

刘国庆 ;

张平祥 .

中国专利 :CN107857260A ,2018-03-30

[10]

氧化石墨烯的制备方法及石墨烯的制备方法 [P].

胡源 ;

包晨露 ;

宋磊 ;

郭玉强 .

中国专利 :CN102225754B ,2011-10-26

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