硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅用添加剂、去绕镀方法及改善N型电池良率的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911328351.4

申请日：

2019-12-20

公开(公告)号：

CN113013029B

公开(公告)日：

2021-06-22

发明(设计)人：

张临安邓伟伟

申请人：

申请人地址：

215129 江苏省苏州市高新区鹿山路199号

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L3118 C09G118

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

巩克栋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-22	公开	公开
2022-07-29	授权	授权
2021-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20191220

共 50 条

[1]

去除多晶硅绕镀的方法、太阳能电池及其制备方法 [P].

金井升 ;

张玥 ;

张昕宇 .

中国专利 :CN111900214A ,2020-11-06

[2]

TOPCON电池正面绕镀多晶硅刻蚀的监控方法 [P].

郎芳 ;

潘明翠 ;

王子谦 ;

马红娜 ;

王红芳 ;

夏新中 ;

赵学玲 ;

翟金叶 ;

张磊 ;

史金超 ;

于波 ;

刘莹 ;

麻超 .

中国专利 :CN118197970A ,2024-06-14

[3]

TOPCON电池正面绕镀多晶硅刻蚀的监控方法 [P].

郎芳 ;

潘明翠 ;

王子谦 ;

马红娜 ;

王红芳 ;

夏新中 ;

赵学玲 ;

翟金叶 ;

张磊 ;

史金超 ;

于波 ;

刘莹 ;

麻超 .

中国专利 :CN118197970B ,2024-08-02

[4]

制造n型多晶硅太阳能电池的方法 [P].

Y·科马特苏 ;

H·D·哥德巴赫 ;

R·E·I·施罗普 ;

L·J·基里格斯 .

中国专利 :CN101331615A ,2008-12-24

[5]

多晶硅太阳能电池扩散方法 [P].

赵贵燕 ;

邱军辉 ;

王世贤 ;

龚丽坤 .

中国专利 :CN102820383B ,2012-12-12

[6]

电池片去绕镀方法、太阳能电池及其制备方法 [P].

严家根 .

中国专利 :CN121174663A ,2025-12-19

[7]

多晶硅太阳能电池的制绒方法 [P].

何云海 .

中国专利 :CN105040108B ,2015-11-11

[8]

真空蒸镀太阳能电池用多晶硅薄膜及制备工艺 [P].

王宙 ;

付传起 ;

曹健 ;

室谷贵之 ;

李斌 ;

何旭 .

中国专利 :CN102605329A ,2012-07-25

[9]

多晶硅太阳能电池片酸性制绒剂用添加剂 [P].

侯军 ;

陈贵才 .

中国专利 :CN102060569A ,2011-05-18

[10]

一种改善N型晶硅太阳能电池UV衰减的方法及N型晶硅太阳能电池 [P].

安欣睿 .

中国专利 :CN120547970A ,2025-08-26

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