记录层、光信息记录介质、溅射靶

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811043504.6
申请日
2018-09-07
公开(公告)号
CN109493887B
公开(公告)日
2019-03-19
发明(设计)人
田内裕基
申请人
申请人地址
日本兵库县神户市中央区脇浜海岸通二丁目2番4号(邮编:651-8585)
IPC主分类号
G11B7243
IPC分类号
G11B726
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
杨贝贝;臧建明
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
记录层、光信息记录介质及溅射靶 [P]. 
田内裕基 .
中国专利 :CN113823332A ,2021-12-21
[2]
记录层、光信息记录介质及溅射靶 [P]. 
田内裕基 .
中国专利 :CN111771242A ,2020-10-13
[3]
光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶 [P]. 
田内裕基 ;
志田阳子 ;
三木刚 ;
曾根康宏 .
中国专利 :CN102640219A ,2012-08-15
[4]
光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶 [P]. 
田内裕基 ;
志田阳子 ;
曾根康宏 .
中国专利 :CN102483939A ,2012-05-30
[5]
光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶 [P]. 
田内裕基 ;
志田阳子 ;
三木刚 ;
曾根康宏 .
中国专利 :CN105931654B ,2016-09-07
[6]
溅射靶及光信息记录介质用薄膜 [P]. 
高见英生 ;
矢作政隆 .
中国专利 :CN101208451B ,2008-06-25
[7]
溅射靶、光信息记录介质以及光信息记录介质用薄膜的制造方法 [P]. 
高见英生 ;
矢作政隆 .
中国专利 :CN100558930C ,2007-02-21
[8]
光记录介质、记录层以及记录层形成用溅射靶 [P]. 
黑川光太郎 .
中国专利 :CN113348510A ,2021-09-03
[9]
溅射靶及光信息记录介质及其制造方法 [P]. 
高见英生 ;
矢作政隆 .
中国专利 :CN100340698C ,2005-06-01
[10]
溅射靶和光信息记录介质及其制造方法 [P]. 
高见英生 ;
矢作政隆 .
中国专利 :CN1918319A ,2007-02-21