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记录层、光信息记录介质、溅射靶
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811043504.6
申请日
:
2018-09-07
公开(公告)号
:
CN109493887B
公开(公告)日
:
2019-03-19
发明(设计)人
:
田内裕基
申请人
:
申请人地址
:
日本兵库县神户市中央区脇浜海岸通二丁目2番4号(邮编:651-8585)
IPC主分类号
:
G11B7243
IPC分类号
:
G11B726
代理机构
:
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
:
杨贝贝;臧建明
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-03-19
公开
公开
2019-04-12
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G11B 7/243 申请日:20180907
2020-11-17
授权
授权
共 50 条
[1]
记录层、光信息记录介质及溅射靶
[P].
田内裕基
论文数:
0
引用数:
0
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0
田内裕基
.
中国专利
:CN113823332A
,2021-12-21
[2]
记录层、光信息记录介质及溅射靶
[P].
田内裕基
论文数:
0
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0
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0
田内裕基
.
中国专利
:CN111771242A
,2020-10-13
[3]
光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶
[P].
田内裕基
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0
田内裕基
;
志田阳子
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志田阳子
;
三木刚
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三木刚
;
曾根康宏
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0
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曾根康宏
.
中国专利
:CN102640219A
,2012-08-15
[4]
光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶
[P].
田内裕基
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田内裕基
;
志田阳子
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志田阳子
;
曾根康宏
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曾根康宏
.
中国专利
:CN102483939A
,2012-05-30
[5]
光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶
[P].
田内裕基
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田内裕基
;
志田阳子
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志田阳子
;
三木刚
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三木刚
;
曾根康宏
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曾根康宏
.
中国专利
:CN105931654B
,2016-09-07
[6]
溅射靶及光信息记录介质用薄膜
[P].
高见英生
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高见英生
;
矢作政隆
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矢作政隆
.
中国专利
:CN101208451B
,2008-06-25
[7]
溅射靶、光信息记录介质以及光信息记录介质用薄膜的制造方法
[P].
高见英生
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高见英生
;
矢作政隆
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0
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矢作政隆
.
中国专利
:CN100558930C
,2007-02-21
[8]
光记录介质、记录层以及记录层形成用溅射靶
[P].
黑川光太郎
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0
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黑川光太郎
.
中国专利
:CN113348510A
,2021-09-03
[9]
溅射靶及光信息记录介质及其制造方法
[P].
高见英生
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0
高见英生
;
矢作政隆
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0
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矢作政隆
.
中国专利
:CN100340698C
,2005-06-01
[10]
溅射靶和光信息记录介质及其制造方法
[P].
高见英生
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0
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0
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0
高见英生
;
矢作政隆
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0
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0
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0
矢作政隆
.
中国专利
:CN1918319A
,2007-02-21
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