基于WS2层片状纳米阵列结构的高容量锂离子电池及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610103993.4
申请日
2016-02-25
公开(公告)号
CN105742692A
公开(公告)日
2016-07-06
发明(设计)人
彭志坚 钱静雯 申振广 李汉青 符秀丽
申请人
申请人地址
100083 北京市海淀区学院路29号
IPC主分类号
H01M100525
IPC分类号
H01M100563 H01M10058
代理机构
代理人
法律状态
专利权的终止
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
基于钼箔负载的二硫化钼纳米片阵列结构的锂离子电池的制备方法 [P]. 
彭志坚 ;
郭一飞 ;
符秀丽 .
中国专利 :CN109346723A ,2019-02-15
[2]
高纯度、高产率制备WS2层片状纳米结构的方法 [P]. 
申振广 ;
彭志坚 ;
钱静雯 ;
符秀丽 .
中国专利 :CN105019029A ,2015-11-04
[3]
高容量锂离子电池阳极材料及制备方法 [P]. 
应战 ;
宋志棠 ;
封松林 .
中国专利 :CN1667856A ,2005-09-14
[4]
高容量锂离子电池硅负极材料及其制备方法 [P]. 
赵东辉 ;
周鹏伟 ;
白宇 ;
李冰蟾 .
中国专利 :CN110600693A ,2019-12-20
[5]
一种高容量锂离子电池负极材料及其制备方法 [P]. 
郭留希 ;
武艳强 ;
杨晋中 ;
张建华 ;
赵清国 ;
刘永奇 ;
邵静茹 ;
王金成 ;
李盟 .
中国专利 :CN105977468A ,2016-09-28
[6]
一种高容量锂离子电池及其制备方法 [P]. 
龙梅 ;
肖世玲 ;
陈日宇 ;
宋金涛 ;
李岗 ;
王开钰 ;
黄志康 ;
董家乐 ;
农天明 ;
李嘉辉 .
中国专利 :CN120854654A ,2025-10-28
[7]
用于锂离子电池的高容量阳极材料 [P]. 
埃尔曼·洛佩斯 ;
约格什·库马尔·安格沙米 ;
邓海霞 ;
韩龙奉 ;
查然·马莎拉普 ;
素布拉马尼安·文卡塔查拉姆 ;
苏吉特·库马尔 .
中国专利 :CN102630355A ,2012-08-08
[8]
用于高容量锂离子电池的电解液、制备方法及锂离子电池 [P]. 
范伟贞 ;
李钊 ;
刘建生 ;
洪坤光 .
中国专利 :CN104900916A ,2015-09-09
[9]
一种高容量锂离子电池的制备方法 [P]. 
肖彩英 ;
张泽波 ;
李恩花 .
中国专利 :CN1949579A ,2007-04-18
[10]
一种高容量锂离子电池的制备方法 [P]. 
肖彩英 ;
张泽波 .
中国专利 :CN1790798A ,2006-06-21