高密度等离子体发生装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510956652.7

申请日：

2015-12-18

公开(公告)号：

CN105554995A

公开(公告)日：

2016-05-04

发明(设计)人：

周倩倩胡炜杰王红飞王浩静

申请人：

申请人地址：

710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号

IPC主分类号：

H05H134

IPC分类号：

代理机构：

西安智邦专利商标代理有限公司 61211

代理人：

张倩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-04	公开	公开
2018-12-14	授权	授权
2016-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662921018 IPC(主分类):H05H 1/34 专利申请号:2015109566527 申请日:20151218

共 50 条

[1]

等离子体发生装置 [P].

樊华 ;

张明侠 .

中国专利 :CN214627459U ,2021-11-05

[2]

高密度等离子体加工设备 [P].

尤里·N·托尔马切夫 ;

瑟吉·Y·纳瓦拉 ;

马东俊 ;

金大一 .

中国专利 :CN100394535C ,2005-02-02

[3]

高密度等离子体处理设备 [P].

M.思韦茨 ;

P.霍克利 .

中国专利 :CN112602165A ,2021-04-02

[4]

高密度等离子体反应器 [P].

埃瑞克·舍瓦勒 ;

菲利普·吉杰恩 .

中国专利 :CN1809911A ,2006-07-26

[5]

高密度阴极等离子体源 [P].

李波 ;

吴杰峰 ;

罗广南 ;

王海京 ;

韦俊 ;

宋春 .

中国专利 :CN103298233B ,2013-09-11

[6]

一种高密度等离子体工艺装置 [P].

刘训春 ;

叶甜春 ;

李晓民 ;

王守武 ;

钱鹤 ;

徐维江 ;

曹振亚 ;

张学 .

中国专利 :CN2249451Y ,1997-03-12

[7]

用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的放电腔室 [P].

芶富均 .

中国专利 :CN202697017U ,2013-01-23

[8]

高密度等离子体增强工艺腔室 [P].

征·约翰·叶 ;

周建华 ;

邵寿潜 ;

苏海尔·安瓦尔 .

美国专利 :CN118451529A ,2024-08-06

[9]

较小等离子损伤的高密度等离子体沉积方法 [P].

徐强 ;

张文广 ;

郑春生 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102543756A ,2012-07-04

[10]

一种用于产生高密度等离子体的装置 [P].

邹威 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN109518167A ,2019-03-26

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