Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810614958.8

申请日：

2018-06-14

公开(公告)号：

CN108878645A

公开(公告)日：

2018-11-23

发明(设计)人：

胡益丰尤海鹏朱强华臧千强张锐郭璇朱小芹邹华

申请人：

申请人地址：

213001 江苏省常州市中吴大道1801号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231

代理人：

张文杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-23	公开	公开
2018-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20180614
2020-08-25	授权	授权

共 50 条

[1]

用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料 [P].

翟继卫 ;

汪昌州 ;

沈波 ;

孙明成 .

中国专利 :CN102117885A ,2011-07-06

[2]

纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

何子芳 ;

吴卫华 .

中国专利 :CN105514269A ,2016-04-20

[3]

Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法 [P].

汪昌州 ;

刘东方 ;

张伟 ;

杨康 .

中国专利 :CN106935701A ,2017-07-07

[4]

一种Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用 [P].

沈波 ;

孙明成 ;

翟继卫 ;

胡益丰 .

中国专利 :CN102903846A ,2013-01-30

[5]

一种纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法与应用 [P].

翟继卫 ;

袁宇康 ;

沈波 .

中国专利 :CN115697032A ,2023-02-03

[6]

一种纳米复合多层相变薄膜及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

吴卫华 ;

陈施谕 .

中国专利 :CN106816528A ,2017-06-09

[7]

一种多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

吴冬燕 ;

章雯 ;

蒋爱如 ;

吴阳江 .

中国专利 :CN105679934A ,2016-06-15

[8]

一种CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

胡益丰 ;

徐永康 ;

朱小芹 ;

邹华 .

中国专利 :CN110010764B ,2019-07-12

[9]

多层相变薄膜及制备方法和应用 [P].

胡益丰 ;

郭璇 ;

张锐 ;

尤海鹏 ;

朱小芹 ;

邹华 .

中国专利 :CN109860388B ,2019-06-07

[10]

一种Sb70Se30/C多层复合相变薄膜及其制备方法和应用 [P].

张丹 ;

胡益丰 ;

卢雅琳 ;

朱小芹 ;

孙月梅 ;

邹华 .

中国专利 :CN109301064A ,2019-02-01

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