一种DDR2/DDR3存储器的快速检测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810671129.3

申请日：

2018-06-26

公开(公告)号：

CN110647436A

公开(公告)日：

2020-01-03

发明(设计)人：

杨海涛黄佳张伟彬

申请人：

申请人地址：

100074 北京市丰台区云岗北区西里1号院

IPC主分类号：

G06F1126

IPC分类号：

代理机构：

核工业专利中心 11007

代理人：

孙成林

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 11/26 申请日:20180626
2020-01-03	公开	公开

共 50 条

[1]

DDR3存储器 [P].

颜军 ;

占连样 ;

颜志宇 ;

龚永红 ;

王烈洋 ;

汤凡 ;

陈像 ;

蒲光明 ;

陈伙立 ;

骆征兵 .

中国专利 :CN213183602U ,2021-05-11

[2]

一种DDR3存储器芯片 [P].

任其超 .

中国专利 :CN204577427U ,2015-08-19

[3]

一种基于立体封装技术的DDR3存储器 [P].

颜军 ;

占连样 ;

王烈洋 ;

唐芳福 .

中国专利 :CN209150044U ,2019-07-23

[4]

一种立体封装DDR2 SDRAM存储器 [P].

颜军 ;

陈像 ;

潘申林 ;

王烈洋 ;

占连样 .

中国专利 :CN210467839U ,2020-05-05

[5]

一种针对DDR3存储器晶圆的ATE测试方法 [P].

李天江 ;

林鹏荣 ;

高鹏 ;

李鑫 ;

张若寒 ;

张召 ;

王铁凝 ;

王威 ;

王婷 .

中国专利 :CN121191559A ,2025-12-23

[6]

一种基于FPGA FIFO模块的DDR3存储器控制 [P].

胥秋 ;

石韦伟 ;

汪宗福 .

中国专利 :CN209842608U ,2019-12-24

[7]

一种基于立体封装技术的DDR2存储器 [P].

孟庆福 ;

马玉华 ;

颜振辉 ;

占连样 .

中国专利 :CN212322995U ,2021-01-08

[8]

DDR2存储器的建模方法和边界扫描测试方法 [P].

杜影 ;

李洋 ;

徐鹏程 ;

王石记 .

中国专利 :CN103035300A ,2013-04-10

[9]

一种DDR3控制系统 [P].

车浩军 ;

吴志强 ;

杨才明 ;

陈建平 ;

金乃正 ;

金军 ;

朱玛 ;

陶涛 ;

李勇 ;

张琦 ;

李康毅 ;

崔泓 ;

周剑峰 ;

谢永海 .

中国专利 :CN109582615B ,2019-04-05

[10]

基于FPGA的外扩DDR2的读写方法及基于FPGA的外扩DDR2颗粒存储器 [P].

刘大同 ;

彭宇 ;

刘连胜 ;

见其拓 ;

刘川 ;

庞业勇 .

中国专利 :CN102789424B ,2012-11-21

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