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正极活性物质的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202080021983.0
申请日
:
2020-03-23
公开(公告)号
:
CN113597408A
公开(公告)日
:
2021-11-02
发明(设计)人
:
门马洋平
落合辉明
三上真弓
齐藤丞
高桥正弘
申请人
:
申请人地址
:
日本神奈川县
IPC主分类号
:
C01G5100
IPC分类号
:
H01M4525
代理机构
:
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
:
宋俊寅
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-11-02
公开
公开
2022-04-15
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 51/00 申请日:20200323
共 50 条
[1]
正极活性物质的制造方法
[P].
门马洋平
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门马洋平
;
落合辉明
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落合辉明
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三上真弓
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三上真弓
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斉藤丞
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斉藤丞
;
高桥正弘
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高桥正弘
.
中国专利
:CN113646265A
,2021-11-12
[2]
正极活性物质的制造方法
[P].
门马洋平
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
门马洋平
;
落合辉明
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
落合辉明
;
三上真弓
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株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
三上真弓
;
斉藤丞
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株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
斉藤丞
;
高桥正弘
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
高桥正弘
.
日本专利
:CN119330419A
,2025-01-21
[3]
正极活性物质的制造方法
[P].
门马洋平
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株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
门马洋平
;
落合辉明
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株式会社半导体能源研究所
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落合辉明
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三上真弓
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株式会社半导体能源研究所
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三上真弓
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斉藤丞
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株式会社半导体能源研究所
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斉藤丞
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高桥正弘
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
高桥正弘
.
日本专利
:CN119330415A
,2025-01-21
[4]
正极活性物质的制造方法
[P].
门马洋平
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株式会社半导体能源研究所
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门马洋平
;
落合辉明
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株式会社半导体能源研究所
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落合辉明
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三上真弓
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三上真弓
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斉藤丞
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株式会社半导体能源研究所
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高桥正弘
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株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
高桥正弘
.
日本专利
:CN119330418A
,2025-01-21
[5]
正极活性物质的制造方法
[P].
门马洋平
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株式会社半导体能源研究所
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门马洋平
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落合辉明
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株式会社半导体能源研究所
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落合辉明
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三上真弓
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三上真弓
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斉藤丞
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高桥正弘
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机构:
株式会社半导体能源研究所
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高桥正弘
.
日本专利
:CN113646265B
,2024-11-12
[6]
正极活性物质的制造方法
[P].
门马洋平
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门马洋平
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落合辉明
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落合辉明
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三上真弓
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三上真弓
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町川一仁
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町川一仁
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齐藤丞
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齐藤丞
.
中国专利
:CN113597410A
,2021-11-02
[7]
正极活性物质的制造方法
[P].
山本雄治
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泰星能源解决方案有限公司
泰星能源解决方案有限公司
山本雄治
;
野中将治
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泰星能源解决方案有限公司
泰星能源解决方案有限公司
野中将治
;
高森峻也
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泰星能源解决方案有限公司
泰星能源解决方案有限公司
高森峻也
.
中国专利
:CN118724078A
,2024-10-01
[8]
正极活性物质的制造方法
[P].
门马洋平
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门马洋平
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齐藤丞
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齐藤丞
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落合辉明
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落合辉明
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成田和平
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成田和平
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町川一仁
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町川一仁
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三上真弓
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三上真弓
.
中国专利
:CN113165910A
,2021-07-23
[9]
正极活性物质、正极活性物质的制造方法、正极以及二次电池
[P].
新井善行
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新井善行
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杉田和幸
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杉田和幸
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本多敦
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本多敦
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泷本裕一郎
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泷本裕一郎
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栗原英纪
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栗原英纪
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稻本将史
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稻本将史
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堂前京介
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堂前京介
.
中国专利
:CN111052461A
,2020-04-21
[10]
正极活性物质的制造方法
[P].
高桥正弘
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高桥正弘
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三上真弓
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三上真弓
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门马洋平
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门马洋平
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落合辉明
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落合辉明
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齐藤丞
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齐藤丞
.
中国专利
:CN111933906A
,2020-11-13
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