化合物的外消旋体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380056175.8

申请日：

2013-10-28

公开(公告)号：

CN104768918B

公开(公告)日：

2015-07-08

发明(设计)人：

高桥友章广濑太郎

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

C07C20968

IPC分类号：

C07C21160 C07B5500 C07B6100

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

葛凡

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101619258615 IPC(主分类):C07C 209/68 专利申请号:2013800561758 申请日:20131028
2017-03-08	授权	授权
2015-07-08	公开	公开

共 50 条

[1]

光学活性的化合物的制造方法 [P].

高桥友章 ;

宇治田悟 .

中国专利 :CN106103413A ,2016-11-09

[2]

化合物的制造方法 [P].

横井优季 ;

鹿岛健 .

中国专利 :CN107001171B ,2017-08-01

[3]

硅化合物的制造方法 [P].

星野泰辉 ;

室谷英介 ;

矶部辉 .

中国专利 :CN109232880A ,2019-01-18

[4]

β-糖苷化合物的制造方法 [P].

山崎亚希子 ;

入山友辅 ;

大塚义和 .

中国专利 :CN102741263A ,2012-10-17

[5]

硅化合物的制造方法 [P].

星野泰辉 ;

室谷英介 ;

矶部辉 .

中国专利 :CN105814114B ,2016-07-27

[6]

改变茂金属化合物中外消旋体/内消旋体比率的方法 [P].

L·雷斯科尼 ;

D·巴尔波尼 .

中国专利 :CN1198438A ,1998-11-11

[7]

合成光学活性羰基化合物的方法 [P].

M·施尔维斯 ;

R·帕切洛 ;

G·海德里希 ;

G·威格纳 ;

G-D·特贝恩 ;

M·豪布纳 ;

A·凯勒 ;

O·贝 ;

S·伦茨 ;

G·希贝尔 .

中国专利 :CN107250091A ,2017-10-13

[8]

乙烯基化合物的制造方法 [P].

江藤友亮 ;

中村新吾 .

中国专利 :CN112209803A ,2021-01-12

[9]

乙烯基化合物的制造方法 [P].

江藤友亮 ;

中村新吾 .

日本专利 :CN119409550A ,2025-02-11

[10]

烯基磷化合物的制造方法 [P].

木南悠 ;

天神林隆一 ;

横尾雄友 ;

木村一郎 ;

佐藤智彦 ;

藤野博良 ;

渡边智子 ;

佐贺勇太 .

中国专利 :CN107949564B ,2018-04-20

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