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氮化镓功率器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910919577.5
申请日
:
2019-09-26
公开(公告)号
:
CN112563317B
公开(公告)日
:
2021-03-26
发明(设计)人
:
刘斯扬
李宁波
王德进
肖魁
张弛
李胜
陶心怡
孙伟锋
时龙兴
申请人
:
申请人地址
:
210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L29872
H01L21329
代理机构
:
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
:
虞凌霄
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-03-26
公开
公开
2021-04-13
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190926
2022-03-08
授权
授权
共 50 条
[1]
氮化镓功率器件及其制造方法
[P].
孙娜
论文数:
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孙娜
;
高绪兵
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高绪兵
.
中国专利
:CN113555356A
,2021-10-26
[2]
氮化镓功率器件的制造方法及氮化镓功率器件
[P].
杨凯
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机构:
深圳镓楠半导体科技有限公司
深圳镓楠半导体科技有限公司
杨凯
;
杜卫星
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机构:
深圳镓楠半导体科技有限公司
深圳镓楠半导体科技有限公司
杜卫星
.
中国专利
:CN121218626A
,2025-12-26
[3]
氮化镓功率器件结构及其制造方法
[P].
贺洁
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贺洁
;
王书昶
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王书昶
;
黄飞明
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黄飞明
;
励晔
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励晔
.
中国专利
:CN111584629A
,2020-08-25
[4]
氮化镓功率器件结构及其制造方法
[P].
贺洁
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机构:
无锡硅动力微电子股份有限公司
无锡硅动力微电子股份有限公司
贺洁
;
王书昶
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无锡硅动力微电子股份有限公司
无锡硅动力微电子股份有限公司
王书昶
;
黄飞明
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机构:
无锡硅动力微电子股份有限公司
无锡硅动力微电子股份有限公司
黄飞明
;
励晔
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机构:
无锡硅动力微电子股份有限公司
无锡硅动力微电子股份有限公司
励晔
.
中国专利
:CN111584629B
,2024-11-29
[5]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
刘昊
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
刘昊
;
叶念慈
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
叶念慈
;
刘成
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
刘成
;
陈奋
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厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
陈奋
;
陈泓
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
陈泓
;
徐涵
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
徐涵
;
付杰
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
付杰
;
张辉
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
张辉
.
中国专利
:CN119096369A
,2024-12-06
[6]
一种氮化镓功率器件及其制造方法
[P].
张晓荣
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机构:
无锡华润微电子有限公司
无锡华润微电子有限公司
张晓荣
;
陈延博
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机构:
无锡华润微电子有限公司
无锡华润微电子有限公司
陈延博
;
储凯闻
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无锡华润微电子有限公司
无锡华润微电子有限公司
储凯闻
;
田郭涛
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机构:
无锡华润微电子有限公司
无锡华润微电子有限公司
田郭涛
;
林晓霞
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无锡华润微电子有限公司
无锡华润微电子有限公司
林晓霞
;
卢澳
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机构:
无锡华润微电子有限公司
无锡华润微电子有限公司
卢澳
.
中国专利
:CN119584621A
,2025-03-07
[7]
氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件
[P].
刘君梦
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
刘君梦
;
叶念慈
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
叶念慈
;
刘成
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
刘成
;
王哲力
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
王哲力
;
梁玉玉
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
梁玉玉
.
中国专利
:CN118280836A
,2024-07-02
[8]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
林育赐
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
林育赐
;
李伟聪
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深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
李伟聪
;
姜春亮
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
姜春亮
;
梁志锦
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
梁志锦
.
中国专利
:CN120379296B
,2025-09-05
[9]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
张龙
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机构:
东南大学
东南大学
张龙
;
马杰
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机构:
东南大学
东南大学
马杰
;
张森
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机构:
东南大学
东南大学
张森
;
刘斯扬
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东南大学
东南大学
刘斯扬
;
孙媛
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东南大学
东南大学
孙媛
;
何乃龙
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东南大学
东南大学
何乃龙
;
温宏扬
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东南大学
东南大学
温宏扬
;
刘新新
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机构:
东南大学
东南大学
刘新新
;
孙伟锋
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机构:
东南大学
东南大学
孙伟锋
.
中国专利
:CN119153489A
,2024-12-17
[10]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
张葶葶
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张葶葶
;
李亦衡
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李亦衡
;
王东盛
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王东盛
;
苗操
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苗操
;
魏鸿源
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魏鸿源
;
严文胜
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严文胜
;
朱廷刚
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朱廷刚
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中国专利
:CN105355665A
,2016-02-24
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