多晶硅薄膜晶体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510067253.1

申请日：

2005-04-20

公开(公告)号：

CN100413040C

公开(公告)日：

2006-03-15

发明(设计)人：

孙暻锡柳明官朴宰徹金亿洙李俊昊权世烈任章淳

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

G02F11368 G09G338

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李贵亮;杨梧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-07-30	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101703435473 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2005100672531 变更事项:专利权人变更前:京东方显示器科技公司变更后:海帝士科技公司变更事项:地址变更前:韩国京畿道变更后:韩国京畿道
2008-08-20	授权	授权
2014-11-26	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101706834778 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2005100672531 专利号:ZL2005100672531 合同备案号:2014990000768 让与人:海帝士科技公司受让人:京东方科技集团股份有限公司发明名称:多晶硅薄膜晶体管的形成方法申请日:20050420 申请公布日:20060315 授权公告日:20080820 许可种类:普通许可备案日期:20140924
2006-03-15	公开	公开

共 50 条

[1]

多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法 [P].

金亿洙 ;

李镐年 ;

柳明官 ;

朴宰彻 ;

孙暻锡 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1333439C ,2005-07-13

[2]

多晶硅薄膜晶体管 [P].

刘红侠 ;

栾苏珍 .

中国专利 :CN101286530B ,2008-10-15

[3]

形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法 [P].

翁健森 ;

张志清 .

中国专利 :CN1333447C ,2005-03-09

[4]

多晶硅薄膜晶体管 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

凌代年 ;

邱成峰 ;

彭华军 ;

黄飚 .

中国专利 :CN102610651A ,2012-07-25

[5]

低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法 [P].

李子健 .

中国专利 :CN104599973B ,2015-05-06

[6]

形成低温多晶硅薄膜晶体管的方法 [P].

陈坤宏 .

中国专利 :CN1301539C ,2005-02-09

[7]

多晶硅薄膜形成方法、掩膜版、多晶硅薄膜和薄膜晶体管 [P].

李栋 ;

陆小勇 ;

张帅 ;

刘政 ;

龙春平 .

中国专利 :CN105185694A ,2015-12-23

[8]

形成多晶硅薄膜的方法及包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管 [P].

官大新 ;

叶昱均 ;

闫立志 ;

韩开 .

中国专利 :CN105990098B ,2016-10-05

[9]

形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法 [P].

金彬 ;

金海烈 ;

裵钟旭 .

中国专利 :CN1319123C ,2004-05-26

[10]

形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法 [P].

彭佳添 ;

廖龙盛 ;

曹义昌 .

中国专利 :CN1314090C ,2004-06-30

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