一种双栅电极金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710326498.4

申请日：

2017-05-10

公开(公告)号：

CN107104151A

公开(公告)日：

2017-08-29

发明(设计)人：

王大鹏赵文静刘生忠

申请人：

申请人地址：

710062 陕西省西安市长安南路199号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2951

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

齐书田

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-29	公开	公开
2017-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749369795 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2017103264984 申请日:20170510

共 50 条

[1]

双栅电极金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

周星宇 .

中国专利 :CN111710725A ,2020-09-25

[2]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

刘启晗 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

王琦男 .

中国专利 :CN109767988A ,2019-05-17

[3]

一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

王大鹏 .

中国专利 :CN106531782A ,2017-03-22

[4]

一种顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

徐苗 ;

李民 ;

彭俊彪 ;

王磊 ;

邹建华 ;

陶洪 .

中国专利 :CN105575819A ,2016-05-11

[5]

一种底栅自对准结构金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

王大鹏 ;

赵文静 ;

刘生忠 .

中国专利 :CN107221563A ,2017-09-29

[6]

双栅电极氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

谢应涛 .

中国专利 :CN106098786A ,2016-11-09

[7]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P].

贺家煜 ;

宁策 ;

李正亮 ;

胡合合 ;

黄杰 ;

赵坤 ;

姚念琦 .

中国专利 :CN113809182A ,2021-12-17

[8]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

刘洋 .

中国专利 :CN105932066A ,2016-09-07

[9]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

张其国 ;

汪梅林 ;

韩学斌 ;

朱棋锋 ;

申剑锋 .

中国专利 :CN102437194A ,2012-05-02

[10]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

彭俊彪 ;

兰林锋 ;

徐苗 ;

徐瑞霞 ;

王磊 ;

许伟 .

中国专利 :CN101872787A ,2010-10-27

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