一种纳米线的激光沉积制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611163182.X

申请日：

2016-12-15

公开(公告)号：

CN106756809A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

廖荣生

申请人：

申请人地址：

546500 广西壮族自治区来宾市合山市岭南镇人民中路建安小区工行楼1单元1号

IPC主分类号：

C23C1428

IPC分类号：

C23C1408 H01L3300 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-31	公开	公开
2020-07-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 14/28 申请公布日:20170531

共 50 条

[1]

一种芯壳型纳米线的制备方法 [P].

曹丙强 ;

段广彬 ;

徐红燕 ;

王介强 ;

陶珍东 .

中国专利 :CN102115910A ,2011-07-06

[2]

有序硅纳米线的制备方法 [P].

石明吉 ;

陈兰莉 ;

丁淑娟 ;

尹应鹏 ;

于家辉 ;

罗鹏晖 .

中国专利 :CN101871116A ,2010-10-27

[3]

激光脉冲沉积技术制备氮化镓纳米线的方法 [P].

王如志 ;

王宇清 ;

严辉 ;

王波 ;

张铭 ;

宋雪梅 ;

朱满康 ;

侯育冬 ;

刘晶冰 ;

汪浩 .

中国专利 :CN103484823A ,2014-01-01

[4]

脉冲激光沉积制备纳米硅的方法 [P].

王磊 ;

杜军 ;

屠海令 ;

朱世伟 .

中国专利 :CN101684545A ,2010-03-31

[5]

一种脉冲激光烧蚀制备硅纳米线的方法 [P].

王磊 ;

陈兴 ;

杜军 ;

屠海令 ;

黄立娟 ;

罗君 .

中国专利 :CN102030327A ,2011-04-27

[6]

一种制备ZnO纳米线阵列的方法 [P].

李建功 ;

田强 ;

王谦 ;

黄娟娟 ;

张旭东 ;

王花枝 .

中国专利 :CN101608305B ,2009-12-23

[7]

一种硒化锌纳米线薄膜的脉冲激光烧蚀沉积制备方法 [P].

许宁 ;

赖菊水 ;

沈轶群 ;

吴嘉达 ;

应质峰 .

中国专利 :CN101780946A ,2010-07-21

[8]

一种多孔硅纳米线阵列的制备方法 [P].

李绍元 ;

耿超 ;

马文会 ;

何祖东 ;

万小涵 ;

雷云 ;

颜恒维 ;

于洁 ;

魏奎先 ;

谢克强 ;

杨斌 ;

戴永年 .

中国专利 :CN108847383A ,2018-11-20

[9]

一种制备p型ZnO纳米线的方法 [P].

陈新影 ;

楚学影 ;

方芳 ;

李金华 ;

魏志鹏 ;

孙韶伟 ;

王晓华 .

中国专利 :CN103193261A ,2013-07-10

[10]

一种异质p-n结纳米线阵列及其制备方法和应用 [P].

杨国伟 ;

冯洋 .

中国专利 :CN100487909C ,2007-09-05

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