一种半导体生产用防静电存储装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201822022269.6

申请日：

2018-12-04

公开(公告)号：

CN209492900U

公开(公告)日：

2019-10-15

发明(设计)人：

尹维华王为玉

申请人：

申请人地址：

315000 浙江省宁波市东钱湖工业区长漕路68号

IPC主分类号：

B65D8118

IPC分类号：

B65D8126

代理机构：

南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249

代理人：

孙峰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-15	授权	授权
2022-11-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B65D 81/18 申请日:20181204 授权公告日:20191015 终止日期:20211204

共 50 条

[1]

一种半导体生产用防静电存储装置 [P].

赵叶 ;

毛宇辰 .

中国专利 :CN217199406U ,2022-08-16

[2]

一种半导体生产用防静电存储装置 [P].

郁迎春 .

中国专利 :CN211593430U ,2020-09-29

[3]

一种半导体生产用防静电存储装置 [P].

吴桂泉 .

中国专利 :CN213706261U ,2021-07-16

[4]

一种半导体生产用防静电存储装置 [P].

李召 ;

赵国增 .

中国专利 :CN214242135U ,2021-09-21

[5]

一种半导体生产用防静电存储装置 [P].

詹玉峰 ;

陈跃华 ;

方勇华 ;

方小明 .

中国专利 :CN214357490U ,2021-10-08

[6]

一种半导体生产用防静电存储装置 [P].

胡丰森 ;

王敏 ;

刘志刚 .

中国专利 :CN215246360U ,2021-12-21

[7]

一种半导体元件防静电存储装置 [P].

黄春城 .

中国专利 :CN220518880U ,2024-02-23

[8]

一种半导体二极管生产用防静电存储装置 [P].

吴和秀 ;

林宇蕾 .

中国专利 :CN217199465U ,2022-08-16

[9]

防静电存储装置 [P].

朱永华 ;

韩传贵 ;

孙建 .

中国专利 :CN218113551U ,2022-12-23

[10]

一种防静电存储装置 [P].

刘国斌 ;

张玉勤 ;

贺金凤 ;

张玉龙 .

中国专利 :CN223162380U ,2025-07-29

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