一种852nm超窄线宽外腔半导体激光器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610029639.1
申请日
2016-01-15
公开(公告)号
CN105529613A
公开(公告)日
2016-04-27
发明(设计)人
关宝璐 潘冠中 刘储 徐晨 李鹏涛 刘振杨 杨嘉炜
申请人
申请人地址
100124 北京市朝阳区平乐园100号
IPC主分类号
H01S514
IPC分类号
代理机构
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203
代理人
沈波
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器 [P]. 
刘兴宇 ;
邵志强 ;
孙权 ;
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[2]
可调谐窄线宽外腔半导体激光器 [P]. 
陈伟 ;
班德超 ;
齐艺超 ;
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[3]
一种外腔式窄线宽1064nm半导体激光器 [P]. 
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[4]
外腔半导体激光器 [P]. 
肖啸 ;
鲁远甫 ;
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[5]
窄线宽可调谐抗振外腔半导体激光器 [P]. 
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阮军 ;
张辉 ;
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[6]
折叠外腔超窄线宽半导体激光器 [P]. 
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[7]
外腔半导体激光器 [P]. 
黄军超 ;
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[8]
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陈超 ;
罗曦晨 ;
宁永强 ;
张星 ;
秦莉 ;
王立军 .
中国专利 :CN113659429A ,2021-11-16
[9]
基于延时自外差法测量852nm半导体激光器超窄线宽测试系统 [P]. 
关宝璐 ;
杨嘉炜 ;
潘冠中 ;
刘振扬 ;
李鹏涛 .
中国专利 :CN105758626A ,2016-07-13
[10]
一种窄线宽高功率输出的外腔半导体激光器 [P]. 
赖展鲲 ;
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姜宇轩 ;
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