一种半导体共轭聚合物及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310542474.4
申请日
2013-11-05
公开(公告)号
CN103626975B
公开(公告)日
2014-03-12
发明(设计)人
张国兵 郭景华 张捷 李朋 吕国强
申请人
申请人地址
230009 安徽省合肥市屯溪路193号
IPC主分类号
C08G6112
IPC分类号
代理机构
安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112
代理人
余成俊
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种新型半导体共轭聚合物及其合成方法 [P]. 
张国兵 ;
李朋 ;
郭景华 ;
吕国强 .
中国专利 :CN104193971A ,2014-12-10
[2]
一种A-D-A型半导体共轭聚合物及其合成方法 [P]. 
邱龙臻 ;
丁亚飞 ;
黄凯强 ;
杜玉昌 ;
赵耀 ;
张强 .
中国专利 :CN108285527A ,2018-07-17
[3]
一种有机半导体共轭聚合物及其合成方法 [P]. 
邱龙臻 ;
黄凯强 ;
丁亚飞 ;
杜玉昌 ;
张强 ;
赵耀 .
中国专利 :CN108192084A ,2018-06-22
[4]
一种聚合物半导体材料和制备方法及其用途 [P]. 
李坚 ;
米衡 .
中国专利 :CN102786669A ,2012-11-21
[5]
一种共轭聚合物半导体材料、制备方法及应用 [P]. 
袁建宇 ;
马万里 .
中国专利 :CN105237749B ,2016-01-13
[6]
一种共轭聚合物半导体材料、制备方法及应用 [P]. 
袁建宇 ;
马万里 .
中国专利 :CN103467710A ,2013-12-25
[7]
一种超低能级的共轭聚合物半导体材料及其制备方法 [P]. 
张国兵 ;
汪霏霏 ;
戴艳荣 .
中国专利 :CN108948329A ,2018-12-07
[8]
一种全共轭嵌段聚合物半导体材料、制备方法及应用 [P]. 
袁鑫 ;
袁建宇 ;
冯逸丰 ;
张琪麟 ;
李斌 .
中国专利 :CN112266468B ,2021-01-26
[9]
半导体聚合物 [P]. 
N·布劳因 ;
S·蒂尔奈 ;
W·米切尔 ;
M·卡拉斯克-奥拉斯克 ;
F·E·迈耶 .
中国专利 :CN103025788B ,2013-04-03
[10]
悬挂芴基小分子受体的聚合物半导体及其制备方法 [P]. 
邓平 ;
林珍松 ;
李泽阳 ;
林心语 .
中国专利 :CN113831515B ,2021-12-24