集成电路芯片的电容器结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111142312.2

申请日：

2017-02-27

公开(公告)号：

CN113764583A

公开(公告)日：

2021-12-07

发明(设计)人：

吕南畿蒋振劼郑志成

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L4902

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-07	公开	公开
2021-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 49/02 申请日:20170227

共 50 条

[1]

集成电路芯片的电容器结构及其制造方法 [P].

吕南畿 ;

蒋振劼 ;

郑志成 .

中国专利 :CN107275313A ,2017-10-20

[2]

集成电路的电容器结构及其制造方法 [P].

陈岳猷 ;

张家龙 ;

赵治平 .

中国专利 :CN100477214C ,2007-07-18

[3]

集成电路电容器及其制造方法 [P].

陈士弘 ;

谢光宇 .

中国专利 :CN103456497A ,2013-12-18

[4]

集成电路的电容器及其制造方法 [P].

杨富量 ;

郑湘原 ;

何游俊 ;

刘滨 ;

葛兆民 .

中国专利 :CN1048823C ,1997-11-26

[5]

具有垂直极板电容器的集成电路芯片及制造电容器的方法 [P].

D·D·库尔鲍 ;

E·E·叶舒恩 ;

A·K·斯坦珀 ;

A·K·金萨肯迪 ;

何忠祥 ;

K·韦埃特 .

中国专利 :CN101236923A ,2008-08-06

[6]

集成电路中的电容器结构 [P].

J·景 ;

S·吴 .

中国专利 :CN106575648B ,2017-04-19

[7]

集成电路中的电容器及其制造方法 [P].

H·诺尔斯特伦 ;

S·尼格伦 .

中国专利 :CN1113401C ,2000-05-17

[8]

具有电容器的集成电路及其制造方法 [P].

孙远 ;

陈学深 ;

郭克文 .

中国专利 :CN107507828A ,2017-12-22

[9]

集成电路中的电容器及其制造方法 [P].

M·勒纳 ;

S·阿里苏 .

中国专利 :CN104051233B ,2014-09-17

[10]

MIM电容器及其制造方法、集成电路的制造方法 [P].

陈真 ;

林永锋 ;

黄琳 .

中国专利 :CN102074588A ,2011-05-25

← 1 2 3 4 5 →