PIP电容结构及其制作方法、半导体器件

被引：0

申请号：

CN202111667018.3

申请日：

2021-12-31

公开(公告)号：

CN114335187A

公开(公告)日：

2022-04-12

发明(设计)人：

耿武千

申请人：

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

H01L29788

IPC分类号：

H01L2992 H01L21336 H01L21329

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

孟霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/788 申请日:20211231
2022-04-12	公开	公开

共 50 条

[1]

PIP电容结构及其制作方法、半导体器件 [P].

耿武千 .

中国专利 :CN114335187B ,2024-10-11

[2]

半导体结构及其制作方法、半导体器件 [P].

叶李欣 ;

杨弘 .

中国专利 :CN115394709A ,2022-11-25

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

宋思德 ;

刘杰 ;

宋宏光 ;

周俊 .

中国专利 :CN115763478B ,2024-10-15

[4]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

肖胜安 ;

钱文生 ;

李娟娟 .

中国专利 :CN104241243A ,2014-12-24

[5]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN105845577A ,2016-08-10

[6]

半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

肖文静 ;

梅立波 ;

王欢 ;

肖亮 ;

潘震 ;

刘雅琴 .

中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28

[7]

半导体结构及其制作方法、半导体器件 [P].

梅敏 ;

袁娜 ;

吴柱锋 .

中国专利 :CN119275202A ,2025-01-07

[8]

半导体器件结构、闪存器件的制作方法 [P].

丁浩 ;

熊伟 ;

张超然 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN112397391A ,2021-02-23

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘俊文 .

中国专利 :CN114843189A ,2022-08-02

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

许飞 ;

王梦慧 ;

杨宗凯 ;

陈信全 .

中国专利 :CN114927465A ,2022-08-19

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