一种布拉格反射镜及具有布拉格反射镜的发光二极管

被引：0

申请号：

CN202210134791.1

申请日：

2022-02-14

公开(公告)号：

CN114530532A

公开(公告)日：

2022-05-24

发明(设计)人：

李文涛鲁洋简弘安张星星胡加辉金从龙顾伟

申请人：

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H01L3310

IPC分类号：

H01L3314

代理机构：

南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150

代理人：

刘红伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/10 申请日:20220214
2022-05-24	公开	公开

共 50 条

[1]

基于调谐分布布拉格反射镜的发光二极管 [P].

冯玉春 ;

施炜 ;

郭宝平 ;

彭冬生 ;

牛憨笨 .

中国专利 :CN101038948A ,2007-09-19

[2]

具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法 [P].

黄逸儒 ;

黄冠杰 ;

沈志铭 ;

庄东霖 ;

麦宏全 ;

黄靖恩 ;

丁绍滢 .

中国专利 :CN110993765A ,2020-04-10

[3]

分布布拉格反射镜结构及制备方法和有机发光二极管结构 [P].

侯文军 ;

刘则 ;

代青 .

中国专利 :CN103730601A ,2014-04-16

[4]

具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法 [P].

黄逸儒 ;

黄冠杰 ;

沈志铭 ;

庄东霖 ;

麦宏全 ;

黄靖恩 ;

丁绍滢 .

中国专利 :CN105895776B ,2016-08-24

[5]

具有双层布拉格反射镜的发光二极管芯片及其制备方法 [P].

陶羽宇 ;

孙炳蔚 .

中国专利 :CN113410349B ,2021-09-17

[6]

具有分布式布拉格反射器的发光二极管 [P].

许暋赞 ;

金京完 ;

金艺瑟 ;

柳龙禑 .

中国专利 :CN109427936A ,2019-03-05

[7]

具有分布布拉格反射器的发光二极管芯片 [P].

金艺瑟 ;

金京完 .

中国专利 :CN110556463B ,2019-12-10

[8]

获得可挠曲布拉格反射镜的方法和利用所述方法得到的布拉格反射镜 [P].

H·R·米格斯加西亚 ;

M·E·卡尔沃罗贾尼 .

中国专利 :CN102439494A ,2012-05-02

[9]

具有布拉格反射镜的外延片的制备方法 [P].

严帆 ;

汤淼 ;

冬旻弘 .

中国专利 :CN114583032A ,2022-06-03

[10]

一种布拉格反射镜增强InGaN电极、制备与利用 [P].

张荣 ;

陶涛 ;

智婷 ;

谢自力 ;

刘斌 ;

陈鹏 ;

修向前 ;

韩平 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN103966621B ,2014-08-06

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