一种钒掺杂二硫化钨负极材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811091069.4

申请日：

2018-09-19

公开(公告)号：

CN109378470B

公开(公告)日：

2019-02-22

发明(设计)人：

张正富范苏晓徐嘉辉任艳昆

申请人：

申请人地址：

650093 云南省昆明市五华区学府路253号

IPC主分类号：

H01M458

IPC分类号：

H01M100525

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-18	授权	授权
2019-02-22	公开	公开
2019-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/58 申请日:20180919

共 50 条

[1]

钒掺杂二硫化钨纳米片材料及其制备方法 [P].

张向华 ;

王出 ;

雷卫宁 ;

叶霞 ;

林本才 .

中国专利 :CN105668636A ,2016-06-15

[2]

一种二硫化钨负极材料包覆硫复合材料制备方法 [P].

张正富 ;

范苏晓 ;

徐嘉辉 ;

任艳昆 .

中国专利 :CN109326780A ,2019-02-12

[3]

一种氮、硫共掺杂二硫化钨钠离子电池负极材料的制备方法 [P].

黄剑锋 ;

罗晓敏 ;

曹丽云 ;

李嘉胤 ;

王蓉 ;

徐培光 ;

王泽坤 ;

王芳敏 .

中国专利 :CN109449410B ,2019-03-08

[4]

一种金属掺杂的二硫化钨热电材料及制备方法 [P].

包信和 ;

姜鹏 ;

黄志伟 .

中国专利 :CN106898689A ,2017-06-27

[5]

一种钒掺杂二硫化钨/氧化石墨烯复合电极材料及其制备方法和应用 [P].

黄剑锋 ;

罗晓敏 ;

曹丽云 ;

李嘉胤 ;

王瑜航 ;

王羽偲嘉 ;

王芳敏 .

中国专利 :CN111874950B ,2020-11-03

[6]

一种硫化钨正极材料的制备方法 [P].

张正富 ;

任艳昆 ;

范苏晓 ;

刘警峰 ;

徐嘉辉 .

中国专利 :CN108773855A ,2018-11-09

[7]

用于钾离子二次电池的二硫化钨负极材料 [P].

孙传福 ;

张如定 .

中国专利 :CN108550846A ,2018-09-18

[8]

一种MXene-硼掺杂二硫化钨纳米阵列材料的制备方法 [P].

王瑞虎 ;

黄佳禹 ;

王丹 ;

李小菊 .

中国专利 :CN120261757A ,2025-07-04

[9]

一种二硫化钨/硫化铟复合纳米材料的制备方法 [P].

周杰 ;

朱蓓蓓 ;

吴斌 ;

姜敏 ;

周道 ;

丁邦琴 ;

黄徽 .

中国专利 :CN111822004B ,2020-10-27

[10]

一种二硫化钨的制备方法 [P].

顾进跃 ;

袁克艳 ;

梁铁山 .

中国专利 :CN103420423B ,2013-12-04

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