热中子屏蔽材料及其制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN200510103118.8
申请日
2005-09-16
公开(公告)号
CN1933032A
公开(公告)日
2007-03-21
发明(设计)人
陈蕴博 武兵书 姜超 郑学斌
申请人
申请人地址
100083北京市海淀区学清路18号
IPC主分类号
G21F100
IPC分类号
G21F112
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种防热中子辐射屏蔽材料及其制备方法 [P]. 
康兴川 ;
郭振涛 ;
矫阳 ;
李淑凤 ;
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张龙 ;
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[2]
核方法测井用热中子屏蔽体材料及其生产工艺 [P]. 
武志刚 ;
张洪影 ;
李兆丰 ;
梁伟龙 ;
吕斌杰 .
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[3]
一种柔性高导热中子屏蔽材料的制备方法 [P]. 
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[4]
屏蔽高剂量γ射线和热中子的铝基复合材料及制备方法 [P]. 
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杨剑 ;
杨志民 ;
毛昌辉 ;
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[5]
中子屏蔽材料及其制备方法 [P]. 
路广遥 ;
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[6]
具有热中子屏蔽的半导体封装 [P]. 
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[7]
树脂基中子屏蔽材料及其制备方法 [P]. 
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[8]
中子屏蔽材料及其制造方法 [P]. 
田中浩基 ;
佐藤良宪 ;
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[9]
一种PVC中子屏蔽材料及其制备方法 [P]. 
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[10]
中子屏蔽材料及制备工艺 [P]. 
柯于斌 ;
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