一种带收敛缺口的高增益半导体单极化振子

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专利类型
发明
申请号
CN201410316600.9
申请日
2014-07-06
公开(公告)号
CN104134849B
公开(公告)日
2014-11-05
发明(设计)人
杨綦祯 廖杨波
申请人
申请人地址
401320 重庆市巴南区渝南大道113号6-25
IPC主分类号
H01Q136
IPC分类号
代理机构
重庆创新专利商标代理有限公司 50125
代理人
宫兆斌
法律状态
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共 50 条
[1]
一种带收敛缺口的高增益半导体单极化振子 [P]. 
胡科娜 .
中国专利 :CN203983460U ,2014-12-03
[2]
一种高增益半导体单极化振子 [P]. 
傅汉雄 ;
杨苑 ;
李胜运 ;
吴舒艺 ;
黄增孝 ;
杨龙寿 .
中国专利 :CN203942011U ,2014-11-12
[3]
一种带收敛缺口的高增益矩形振子天线 [P]. 
胡科娜 .
中国专利 :CN203983465U ,2014-12-03
[4]
一种带有阻扰孔的高增益半导体单极化振子 [P]. 
胡科娜 .
中国专利 :CN203983472U ,2014-12-03
[5]
一种高增益矩形单极化振子 [P]. 
胡科娜 .
中国专利 :CN203983467U ,2014-12-03
[6]
带收敛缺口的辐射稳定的半导体双极化振子 [P]. 
李胜运 ;
杨钦欢 ;
傅汉雄 ;
吴舒艺 ;
杨龙寿 ;
朱瑞龙 .
中国专利 :CN203950915U ,2014-11-19
[7]
宽频带半导体单极化振子 [P]. 
杨龙寿 ;
杨钦欢 ;
黄增孝 ;
温雪欢 ;
曾桓海 ;
傅汉雄 .
中国专利 :CN203942008U ,2014-11-12
[8]
高增益带收敛缺口的五边形振子天线 [P]. 
胡科娜 .
中国专利 :CN203983468U ,2014-12-03
[9]
带有收敛缺口的单极化振子 [P]. 
石松程 .
中国专利 :CN204118240U ,2015-01-21
[10]
带收敛缺口的半导体天线 [P]. 
胡科娜 .
中国专利 :CN203983463U ,2014-12-03