一种低温合成高比表面介孔碳化硅的方法及碳化硅产品

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710437168.2
申请日
2017-06-12
公开(公告)号
CN107188181A
公开(公告)日
2017-09-22
发明(设计)人
姚建峰 张雄飞 陈越峰
申请人
申请人地址
215434 江苏省苏州市太仓市浮桥镇陆公路1号6幢
IPC主分类号
C01B3297
IPC分类号
B82Y4000 B82Y3000
代理机构
南京禹为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32272
代理人
王晓东
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
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[2]
一种低温合成碳化硅的原料配方及方法 [P]. 
魏可镁 ;
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[3]
碳化硅产品的制作方法以及碳化硅产品 [P]. 
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[4]
碳化硅的制造方法及碳化硅 [P]. 
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[5]
一种碳化硅扩散焊接方法及碳化硅换热器 [P]. 
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蒋健安 ;
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石景祯 ;
付敏翔 ;
丁旭 ;
杨代坤 ;
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[6]
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[7]
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[8]
一种碳化硅材料制备方法、碳化硅材料及碳化硅部件 [P]. 
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杨佐东 ;
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张文平 .
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[9]
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堂本千秋 ;
正木克明 ;
柴田和也 ;
山口恵彥 ;
上山大辅 .
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[10]
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