熔断器生产工艺和低压熔断器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810580557.5

申请日：

2018-06-07

公开(公告)号：

CN108630500A

公开(公告)日：

2018-10-09

发明(设计)人：

戴谋戴超

申请人：

申请人地址：

215558 江苏省苏州市常熟市虞山镇常福新村一区103幢605室

IPC主分类号：

H01H6902

IPC分类号：

H01H8518 H01H8512

代理机构：

北京理工大学专利中心 11120

代理人：

温子云;仇蕾安

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01H 69/02 申请日:20180607
2018-10-09	公开	公开
2019-09-24	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01H 69/02 登记生效日:20190905 变更事项:申请人变更前权利人:戴谋变更后权利人:杭州超熔科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:215558 江苏省苏州市常熟市虞山镇常福新村一区103幢605室变更后权利人:310053 浙江省杭州市滨江区滨康路669号2号楼1楼106室

共 50 条

[1]

一种低压熔断器的生产工艺及低压熔断器 [P].

王慧元 ;

李彦强 ;

吴宏佳 ;

豆忠勇 ;

陈嵩 .

中国专利 :CN111933489A ,2020-11-13

[2]

一种低压熔断器 [P].

戴谋 ;

戴超 .

中国专利 :CN208460700U ,2019-02-01

[3]

快速熔断器生产工艺 [P].

何旭斌 ;

赵志成 .

中国专利 :CN104319193A ,2015-01-28

[4]

低压熔断器 [P].

刘少玲 .

中国专利 :CN3499522D ,2006-01-18

[5]

低压熔断器 [P].

赵志成 ;

严心亮 ;

何旭斌 .

中国专利 :CN206864425U ,2018-01-09

[6]

低压熔断器 [P].

赵志成 ;

严心亮 ;

何旭斌 .

中国专利 :CN107017139A ,2017-08-04

[7]

低压熔断器 [P].

雷登亮 ;

李传上 ;

陈洋 ;

黄茂辉 .

中国专利 :CN205789850U ,2016-12-07

[8]

熔断器本体和熔断器 [P].

T.霍克默思 ;

R.胡丁格 ;

J-M.马特尔 ;

C.罗尔维尔德 ;

A.施密德 ;

V.西费尔德 .

中国专利 :CN113287184A ,2021-08-20

[9]

低压熔断器底座 [P].

张俊生 .

中国专利 :CN308611395S ,2024-04-30

[10]

低压限流熔断器 [P].

王华胜 ;

王旭锋 ;

吴大刚 ;

吴一艾 ;

杨晓静 .

中国专利 :CN203931990U ,2014-11-05

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